Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"M.J. Rendon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.J. Rendon, D.C. Sing
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 237:318-323
Ion Implant process control has changed considerably over the past 10 years. In the mid 1990s ion implant process control could easily be characterized as a daily dose monitor and particle check. However, as devices have shrunk and become faster, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37ecdbd66d37a7e2f76be82a4500152b
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.05.006
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.05.006
Autor:
Terry Breeden, Jim McHugh, D. Sing, Steven Gladwin, Jason Locke, M.J. Rendon, Hassan Fakhreddine
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
The Freescale automatic fault detection and classification (FDC) system has logged data from over 3.5 million implants in the past two years. The Freescale FDC system is a low cost system which collects summary implant statistics at the conclusion of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1e4a29fa6cbfbc787bee5f292f2d7f5
https://doi.org/10.1063/1.2401566
https://doi.org/10.1063/1.2401566
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dave Sing, James Nelson Smith, Jen-Yee Nguyen, Jack Jiang, C. Capasso, M.J. Rendon, William J. Taylor, Phil Tobin, E. Luckowski, J. Schaeffer, Eric Verret, Arturo M. Martinez
Publikováno v:
MRS Proceedings. 810
Against a backdrop of the latest ITRS predictions for CMOS junctions, we compare methods for dopant introduction and activation, methods for making contact to these regions, and methods for measurement of material and device properties. As activation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::72324256c50429044cf4f31991595fd1
https://doi.org/10.1557/proc-810-c1.1
https://doi.org/10.1557/proc-810-c1.1
Publikováno v:
2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432).
Pre-amorphization (PA) implants are becoming increasingly popular in CMOS processing as junction depths decrease. As an isoelectric species, germanium has demonstrated a capability for performing such implants into silicon. The gaseous vapor of liqui
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::581e28aff051301c98c876b98d3453d0
https://doi.org/10.1109/iit.2000.924251
https://doi.org/10.1109/iit.2000.924251
Publikováno v:
2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432).
Some ASIC parts in the 0.5 /spl mu/m range experienced severe yield loss due to implant charging issues during the source/drain extension implant. The failing dice were in a circular pattern. The edge intensive poly over gate oxide test structures sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b26f97f1d78f9a688eace2b30e73d83
https://doi.org/10.1109/iit.2000.924213
https://doi.org/10.1109/iit.2000.924213
Publikováno v:
1999 4th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.99TH8395).
The reasons underlying correlations and lack of correlations between SPIDER-MEM and CHARM-2 wafer results are investigated for wafers implanted in a high-current, low energy ion implanter equipped with a plasma charge-control system. The results can
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd48186dcb0ff21e6caea15a16a96c49
https://doi.org/10.1109/ppid.1999.798848
https://doi.org/10.1109/ppid.1999.798848