Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"M.J O'Loughlin"'
Autor:
Al Burk, M.J O'Loughlin, C.D. Brandt, R.C Clarke, M.F MacMillan, Anant K. Agarwal, R.R. Siergiej, S. Sriram, V. Balakrishna
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 43:1459-1464
Wide bandgap semiconducting materials are promising candidates for high-power, high-temperature, microwave and optoelectronic devices because of their superior thermal and electrical properties in comparison to conventional semiconductors. Recent dev
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 200:458-466
Experimental results are presented for SiC epitaxial layer growths employing a unique planetary SiC-VPE reactor. The high-throughput, multi-wafer (7×2″) reactor, was designed for atmospheric and reduced pressure operation at temperatures up to and
Publikováno v:
1988 Winter Simulation Conference Proceedings.
Publikováno v:
1990 Winter Simulation Conference Proceedings.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.