Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"M.I. Wang"'
Autor:
J. H. Lee, Jen-Cheng Liu, Subhadeep Mukhopadhyay, Amit Kundu, Yung-Shun Chen, H. L. Shang, D. S. Huang, S.S. Lin, H. C. Lin, Jun He, Hsi-Ching Wang, Po-Kang Wang, Geoffrey Yeap, M.I. Wang, Ryan Lu, Shu-Han Chen
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
To keep up with the dominance in the field of leading semiconductor technology innovation, TSMC has announced the risk production of its most advanced 5nm CMOS logic node [1] using the full-fledged EUV and high mobility channel (HMC) FinFETs. Support
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::361001d52fd11a077a9094969e8ad42d
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9372009
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9372009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.