Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"M.I Vexler"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S.E. Tyaginov, E. Bury, A. Grill, Z. Yu, A. Makarov, A. De Keersgieter, M.I. Vexler, M. Vandemaele, R. Wang, A. Spessot, A. Chasin, B. Kaczer
Publikováno v:
2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0fd1f318f80f0faf6110c6a98e9933d8
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103111
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103111
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.I. Vexler, G. G. Kareva
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 147:223-226
Display Omitted Resonant-tunneling metal-thin insulator-silicon diodes are considered.To reduce excess currents, high-k-material/SiO2 stacks should be employed.Tunneling in MIS-RTDs with the different stacks is theoretically analyzed.Due to alternati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::15eecaf267691b25d8a73bd877bba58b
https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.092
https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.092
Autor:
M.I. Vexler
Publikováno v:
Current Applied Physics. 14:306-311
Physical effects arising due to change of configuration of a MIS system from planar to cylindrical, are theoretically analyzed. Attention is paid to the voltage partitioning and all the components of tunneling current. A simple simulation model is de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a9f73b188c0b5c9f9a05b830467b316e
https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.12.002
https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.12.002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 13:405-410
The possibilities of experimental extraction of the correlation length of insulator thickness fluctuations from the data of electrical measurements on thin metal-insulator-semiconductor (MIS) structures are discussed. The procedure of statistical tre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4040bef8dc7440207d536aff912d8c8e
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2011.07.003
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2011.07.003
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:731-737
For the p-Si, n-Si and n/p + -Si MOS tunnel diodes with a sub-3 nm insulator layer, the interrelation between oxide degradation, changes in current–voltage curves and changes in the luminescence spectra, is experimentally studied. The evolution of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63aced88ca378bcd55dcda70a95b34ff
https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.12.003
https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.12.003