Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"M.H. Ishaq"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 27:1417-1424
A potentially severe limit on density, performance, and wirability of polysilicon-gate technologies for VLSI applications, is the high resistivity of polycrystalline silicon. Composite structures of highly conductive molybdenum or tungsten disilicide
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d486aa4e9c10daeffac2fe8e49e27063
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.20050
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.20050
Publikováno v:
Journal of the Less Common Metals. 58:133-146
High purity bismuth and BiSb, BiSn and BiPb solid solutions were deformed by uniaxial compression and subsequently annealed for one hour. The annealing temperature was varied and changes in electrical resistivity, hardness and microstructure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5c6be65651245e89e6014e6a885c17c
https://doi.org/10.1016/0022-5088(78)90195-9
https://doi.org/10.1016/0022-5088(78)90195-9
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 15:482-489
A potentially severe limit on density, performance, and virability of polysilicon-gate technologies for VLSI applications, is the high resistivity of polycrystalline silicon. Composite structures of highly conductive molybdenum or tungsten disilicide
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1156659a8c7bb9809031ab0a2a10f424
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051426
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051426
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 5:166-168
Polycides, composite wiring/electrode films formed by depositing a refractory metal silicide such as WSi 2 , MoSi 2 , or TaSi 2 atop a polysilicon film [1]-[4], are finding their way into IC technologies as low-resistivity electrodes/interconnects. O
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aecb86555f5f09cb0cf567d2a60a6d27
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25871
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25871
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.