Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"M.G. Pretto"'
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :591-596
This work proposes some improvements over the current state-of-the-art of carbon measurement in silicon by means of Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) at low temperature (77 K), as described in the ASTM F1391-93 (2000) standard method.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a577c7c6d0db59f01c940a0a3018d196
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.591
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.591
Publikováno v:
Applied Physics A. 81:1187-1190
The calibration factors for the determination of boron and phosphorus concentration in single crystal silicon by low temperature Fourier transform infrared spectroscopy are examined, with the aim of comparing the behaviour of float-zone and Czochrals
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e44c28dd7fc89dc42728f223ea6fdfb
https://doi.org/10.1007/s00339-004-3032-0
https://doi.org/10.1007/s00339-004-3032-0
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 102:228-232
A novel method for the quantitative measurement of nitrogen in Czochralski silicon by means of low temperature Fourier transform infrared spectroscopy (LT-FTIR) is presented, based on measurement in the far-infrared range. Its main advantage is the h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a523bbe07f86a205464649bd5acad9db
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00737-7
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00737-7
Autor:
V. N. Golovina, A. V. Batunina, Robert Falster, M. G. Milvidski, M. Porrini, Roberto Scala, Vladimir V. Voronkov, P. Collareta, L. V. Arapkina, M.G. Pretto, A.S. Guliaeva, G. I. Voronkova
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 89:4289-4293
Silicon crystals doped with nitrogen from the melt contain shallow thermal donors (STDs) detected both optically and electrically. Annealing samples at 600 and 650 °C results in a saturated STD concentration that depends on the nitrogen concentratio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bd2f214dd38d9b14f809094f20af6aa
https://doi.org/10.1063/1.1356436
https://doi.org/10.1063/1.1356436
Publikováno v:
The 1998 international conference on characterization and metrology for ULSI technology.
The shallow dopants B, P, Al, As, and Sb in Si have been investigated by low-temperature Fourier-transform infrared absorption measurements. Experimental procedures are described to obtain quantitative results for the B and P concentration with impro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e52c23adde54296726e4dc9a330e8194
https://doi.org/10.1063/1.56896
https://doi.org/10.1063/1.56896
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.