Zobrazeno 1 - 10
of 192
pro vyhledávání: '"M.G. Mauk"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Datta, J.A. Cox, Z.A Shellenbarger, M.G. Mauk, J.V. Li, P. E. Sims, S.B. Rafol, Oleg V. Sulima
Publikováno v:
IEE Proceedings - Optoelectronics. 151:1-5
Low-voltage AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb separate absorption and multiplication avalanche photodiodes (SAM-APD), as well as InGaAsSb/GaSb APDs with an AlGaAsSb passivating layer, are fabricated using liquid phase epitaxy. Formation of the p–n junction is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bdfdec2ef5dab1e97f9b13529e5b4576
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040142
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040142
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:359-365
Photovoltaic–photoelectrochemical (PV-PEC) cells based on InGaP/GaAs show excellent prospects for efficient production of hydrogen by electrolysis of water using solar energy. We describe a combined close-spaced vapor transport (CSVT)/liquid-phase
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff2b3de0a63529c0923553835a233e99
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00870-3
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00870-3
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:236-243
We describe techniques for adapting liquid-phase epitaxy (LPE) to produce thick (>100 μm) epilayers (“virtual substrates”) of III–V antimonide ternary and quaternary alloys including InAsSb, InGaSb, InAsSbP, InGaAsSb, and AlGaAsSb. Multiple LP
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3fa9930ee672ff2221edaa383e6156fe
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00843-0
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00843-0
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:528-533
Selective and conformal heteroepitaxy of GaAs on silicon using a close-spaced vapor transport (CSVT) process based on a reversible water-vapor transport reaction is described here. In selective epitaxy, a GaAs film is grown preferentially through ope
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c60876661b3b72b74abdf6a38f59868
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00947-2
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00947-2
Autor:
James P. Curran, M.G. Mauk
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:348-353
Monocrystalline silicon films are formed on patterned, metal-masked silicon substrates by a liquid-phase electro-epitaxial lateral overgrowth process. More specifically, silicon films are grown from liquid–metal solutions (molten bismuth saturated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59ac47499cd6d7ad3487b7a7e2a47f24
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00909-5
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00909-5