Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"M.F. Nuban"'
Autor:
S.K. Krawczyk, R. Blanchet, John G. Simmons, M.F. Nuban, D.A. Thompson, S.C. Nagy, B.J. Robinson, M. Buchheit
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 177:1-5
Gas source molecular beam epitaxy has been used to grow InGaAs/InP epitaxial quantum-well structures in selected areas defined by SiO 2 -masked InP substrates, with the goal of obtaining controlled in-plane variations in the band gap of the InGaAs we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de002087a14f4f37839a3d4a93e63cbe
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)01015-9
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)01015-9
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 44:125-129
Recently, we demonstrated the potential of room temperature spectrally integrated scanning photoluminescence (SPL) measurements for mapping the lifetime and the doping density in bulk compound semiconductor substrates. In this work, the possibilities
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e651e248d6a8d79defc491d53de07ffd
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01769-2
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01769-2
Autor:
S.K. Krawczyk, M.F. Nuban
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 28:452-456
It is demonstrated that room-temperature spectrally integrated scanning photoluminescence (I-SPL) measurements can provide direct information on the spatial uniformity of the non-radiative lifetime and of the doping density in compound semiconductor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de5c04e2cde70cc424104673b63eff71
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90104-x
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90104-x
Autor:
R. Blanchet, M.F. Nuban, D.A. Thompson, B.J. Robinson, S.K. Krawczyk, S.C. Nagy, John G. Simmons, M. Buchheit
Publikováno v:
Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
In this contribution, room temperature spectrally resolved scanning photoluminescence technique with high spatial resolution (1 /spl mu/m) is introduced and applied to control the uniformity of the composition and of the thickness of quantum well (QW
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e77ba9211de9b051b5084b4bfec34a13
https://doi.org/10.1109/iciprm.1996.491924
https://doi.org/10.1109/iciprm.1996.491924
Autor:
M. Bejar, R. Blanchet, Dimitris Pavlidis, K. Dong, Delong Cui, S.K. Krawczyk, M.F. Nuban, J.L. Benchimol, Bernard Sermage
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Lifetime and doping characterization of selected layers in epitaxial structures as, for example, p-doped layers encountered in the base of Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) is of great importance for the successful development of these device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::310ac664d945e5c8122dd1c6ace53269
https://doi.org/10.1109/iciprm.1997.600218
https://doi.org/10.1109/iciprm.1997.600218
Autor:
M.F. Nuban, F. Ducroquet, Kyushik Hong, E. Bearzi, C. Klingelhofer, Dimitris Pavlidis, S.K. Krawczyk, Gérard Guillot
Publikováno v:
Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
Optimum growth conditions were determined for InAlAs/InP heterostructure materials based on scanning photoluminescence (SPL), structural and electrical characteristics of wafers. The impact of MOCVD growth parameters such as susceptor rotating speed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ddb1379f09f8839588f12dacc882c72
https://doi.org/10.1109/iciprm.1995.522124
https://doi.org/10.1109/iciprm.1995.522124
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.