Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"M.E. Rothwell"'
Autor:
M. Jurich, Kailash Gopalakrishnan, R. S. King, L.D. Bozano, M.E. Rothwell, B. N. Kurdi, H. K. Wickramasinghe, M. Hernandez, R. S. Shenoy, Charles T. Rettner, J.J. Welser, W.P. Risk, Y. Zhang, P. M. Rice, M.I. Sanchez
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
Over the past few years, a number of techniques, including self-assembly, nanoimprint lithography and spacer-based frequency doubling, have been explored to pattern line and space structures that are considerably denser than possible with conventiona
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf593e57f2e4b02f25acae8d1bec7967
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609382
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609382
Autor:
K.N. Chiong, Denny D. Tang, F.J. Hohn, James D. Warnock, P.J. Coane, E. Petrillo, J.Y.-C. Sun, M.G.R. Thomson, John D. Cressler, N.J. Mazzeo, M.E. Rothwell, Keith A. Jenkins, A.E. Megdanis, Joachim N. Burghartz
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest].
Summary form only given. The full leverage offered by E-beam lithography has been exploited in a 0.25- mu m bipolar process. The tight overlay capability was shown to provide a significant advantage in shrinking the overall transistor size. In conjun
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c189c47b9e38b62d51cee334832ee9b7
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235267
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235267
Autor:
F.J. Hohn, N.J. Mazzeo, P.J. Coane, A.C. Megdanis, E. Petrillo, Keith Jenkins, M.G.R. Thomson, K.N. Chiong, M.E. Rothwell, James D. Warnock, J.Y.-C. Sun, John D. Cressler, Denny D. Tang, Joachim N. Burghartz
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 13:262-264
The full leverage offered by electron-beam lithography has been exploited in a scaled 0.25- mu m double polysilicon bipolar technology. Devices and circuits were fabricated using e-beam lithography for all mask levels with level-to-level overlays tig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea803a7f0d10d090f2217a5fc85abfda
https://doi.org/10.1109/55.145047
https://doi.org/10.1109/55.145047
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.