Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"M.C.J.C.M. Krämer"'
Autor:
Bram Hoex, M.C.J.C.M. Krämer, MK Meint Smit, Johan Hendrik Klootwijk, A Grzegorczyk, Wmm Erwin Kessels, P.R. Hageman, F Fouad Karouta, Jjm Thieu Kwaspen, EC Timmering
Publikováno v:
ECS Transactions. 16:181-191
We have investigated the influence of the structural and compositional properties of silicon nitride layers on the passivation of AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire substrates by assessing their continuous wave (CW) and pulsed current-voltage (I-V) ch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f233df736290913bee1c18d083191986
https://doi.org/10.1149/1.2983174
https://doi.org/10.1149/1.2983174
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth, 241(1/2), 15-18. Elsevier
We present a systematic approach to reduce the resistance of ohmic contacts on AlGaN/GaN FET structures. We have optimised the Ti/Al/Ni/Au contact with respect to the metal composition and annealing conditions. Our optimised contact has a very low co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::485d20fc0e2269943adc37e359311725
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)00920-x
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)00920-x
Publikováno v:
17th Annual Meeting of the IEEELasers and Electro-Optics Society, 2004. LEOS 2004, 1, 284-285
The paper reports on the investigation an improvement of the p-type conductivity of Mg-doped GaN by creating Ga-vacancies in the lattice.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ee24c5ae10a27108901b5e2e9ea22e74
https://doi.org/10.1109/leos.2004.1363222
https://doi.org/10.1109/leos.2004.1363222
Autor:
F Fouad Karouta, P. De Hek, P. Wingelaar, S. Falcone, R. van Dijk, B. Jacobs, M.C.J.C.M. Krämer, E.M. Suijker
Publikováno v:
MRS Proceedings. 680
Ohmic contacts and Schottky contacts were made on an undoped AlGaN/GaN FET structure. Despite the high Al content (33%), we were still able to obtain a contact resistance of 0.3 ωmm. Pulsed measurements showed the large effect of self-heating even f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36b33bbc50bef6270ae4cb90e29a00c5
https://doi.org/10.1557/proc-680-e10.4
https://doi.org/10.1557/proc-680-e10.4
Publikováno v:
Electrochemical and Solid-State Letters. 8:G170
A technique to enhance the hole concentration in activated Mg-doped p-type GaN epitaxial layers is described. The method consists of depositing a porous plasma-nhancedchemical vapor deposited SiOx layer on top of p-GaN after which the sample is heate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65efa98fe6f20004f828baa620268a7c
https://doi.org/10.1149/1.1922874
https://doi.org/10.1149/1.1922874
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.