Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"M.B. Willemsen"'
Autor:
A.J. Scholten, R. van der Hout, J.C.J. Paasschens, M.B. Willemsen, A.C.T. Aarts, D.B.M. Klaassen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 53(2), 270-278. Institute of Electrical and Electronics Engineers
In compact transistor modeling for circuit simulation, the capacitances of conventional MOS devices are commonly determined as the derivatives of terminal charges, which in their turn are obtained from the so-called Ward-Dutton charge partitioning sc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::73a0333fdf3b28bdba9c99f81cb398db
https://doi.org/10.1109/ted.2005.862235
https://doi.org/10.1109/ted.2005.862235
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 39:109-119
We present a detailed study of oxide-confined, vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) where the reflectivity of the top mirror has been patterned by means of a metal grid, which at the same time acts also as an electrode. Owing to their fea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a187797c4e8bfda9b91927a3f95df44
https://doi.org/10.1109/jqe.2002.806181
https://doi.org/10.1109/jqe.2002.806181
Autor:
A.C.T. Aarts, A.J. Scholten, M.B. Willemsen, R. van der Hout, J.C.J. Paasschens, D.B.M. Klaassen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In compact transistor modeling for circuit simulation, the capacitances of conventional MOS devices are commonly determined as the derivatives of terminal charges, which on their turn are obtained from the so-called Ward-Dutton charge partitioning sc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2657d716a0114a4a639d25d8bbb45926
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419281
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419281
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. van Langevelde, M.B. Willemsen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We present a compact model for RF-LDMOS transistors. The model is based on a continuous description of the lateral electric field, and contains the physical phenomena of partial lateral depletion and velocity saturation in the drift region. The model
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4b656442e7830c4825a41b0deacd1f79
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-33847760689&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-33847760689&partnerID=MN8TOARS
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.