Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M.B. Christopher"'
Publikováno v:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 4:834-839
Fabricating device structures from the III-N wide bandgap semiconductors requires anisotropoic dry etching processes that leave smooth surfaces with stoichiometric composition after transferring high-resolution patterns with vertical sidewalls. The p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40a036c3e1cd5d6d4cd3a8c4270f8c18
https://doi.org/10.1557/s1092578300003495
https://doi.org/10.1557/s1092578300003495
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.