Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"M.B. Anand"'
Autor:
M.B., Anand, S., Vinodh
Publikováno v:
Rapid Prototyping Journal, 2018, Vol. 24, Issue 2, pp. 424-435.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/RPJ-10-2016-0160
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dilip Kumar, B C Bhatt, Z. Yang, Sridevi Jade, Rebecca Bendick, Vinod K. Gaur, M.B. Anand, Peter Molnar
Publikováno v:
Geological Society of America Bulletin. 116:1385-1391
Observations of relative motion in a geodetic network in Ladakh, India, and across southern Tibet indicate slow shear on the Karakorum fault, rapid east-west extension across the whole of southern Tibet, and constant arc-normal convergence between In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d9f79c34cf7157eec3605f0d4b68ee0
https://doi.org/10.1130/b25357.1
https://doi.org/10.1130/b25357.1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 17:1252-1261
The significant role played by interconnects in determining the speed and chip size of very-large-scale integrated circuits (VLSI) necessitates the development of new processes and tools for almost every device generation. Since such development usua
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70e146debbd25152f1d85da414387fc8
https://doi.org/10.1109/43.736565
https://doi.org/10.1109/43.736565
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 41:624-631
A traveling-wave high electron mobility transistor (THEMT) is proposed. The device is unique in that it includes an integral distributed load resistor and uses a HEMT as the active device. A rigorous analysis of the device is carried out, using a sma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc995a2175c8a5cff5bf011e953662eb
https://doi.org/10.1109/22.231656
https://doi.org/10.1109/22.231656
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Howard H. Smith, O. Adekanmbi, M.B. Anand, Barry J. Rubin, Ibrahim M. Elfadel, Alina Deutsch, Matthew Angyal, G.V. Kopcsay
Publikováno v:
Electrical Performance of Electronic Packaging.
The development of CAD tools for the modeling, analysis, and optimization of on-chip interconnect structures presents many challenges not found in the context of electronic package design and analysis. In this paper, we summarize these challenges and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8dfb6a536a3f516191766a4d3335b16c
https://doi.org/10.1109/epep.2002.1057945
https://doi.org/10.1109/epep.2002.1057945
Autor:
William F. Landers, D.K. Manger, Henry A. Nye, Sampath Purushothaman, Ronald D. Goldblatt, Naftali E. Lustig, Andrew H. Simon, Sandra G. Malhotra, Erdem Kaltalioglu, S Das, M. Stetter, Soon-Cheon Seo, Chenming Hu, J.B. Connolly, Timothy J. Dalton, John A. Fitzsimmons, Charles R. Davis, Birendra N. Agarwala, John E. Heidenreich, Andy Cowley, Daniel C. Edelstein, M.B. Anand, Spooner Terry A, Alina Deutsch, Vincent J. McGahay, H. Rathore, P.A. Emmi, Richard A. Wachnik, Mahadevaiyer Krishnan, P. Jones, Timothy M. Shaw, Stephan A. Cohen, J.G. Ryan, G. A. Biery, Z.G. Chen, Edward Barth, C.G. Faltermeier, J. L. Hedrick, Junjun Liu, C. DeWan, J.P. Hummel, B.E. Kastenmeier, Eric G. Liniger, R. Mih
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407).
The integration of dual damascene copper with low-k dielectric at the 0.13 /spl mu/m technology node is described. Up to five levels of copper wiring at three different metal pitches is provided in a spin-on organic inter metal dielectric (SiLK/sup T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f502d66db4977250b7a53f4d4d4abd29
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854342
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854342
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.