Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M.A.A.Z. Md Sahar"'
Autor:
M.A. Ahmad, Sha Shiong Ng, Zainuriah Hassan, C. Chevallier, Sidi Ould Saad Hamady, M.A.A.Z. Md Sahar, A.S. Yusof
Publikováno v:
Materials Research Bulletin
Materials Research Bulletin, Elsevier, 2020, ⟨10.1016/j.materresbull.2020.111176⟩
Materials Research Bulletin, Elsevier, 2020, ⟨10.1016/j.materresbull.2020.111176⟩
International audience; In this study, InGaN/GaN heterostructures were grown using metal organic vapor deposition (MOCVD) at different temperatures (800°C, 750°C and 700°C). The structural, crystallinity, surface morphology and optical properties
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b14998cdb0865611d23e01a368f4dafe
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-03247033
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-03247033
Autor:
Zainuriah Hassan, M.A.A.Z. Md Sahar, W. Maryam, Yusnizam Yusuf, M.E.A. Samsudin, Norzaini Zainal
Publikováno v:
Thin Solid Films. 736:138915
In this work, aluminum nitride (AlN) layers were grown on sapphire substrate with different times and temperatures of nitridation through metal organics chemical vapor deposition growth technique. Besides, during the growth process, trimethylaluminum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66fe5285b126e4e6bae777d80244bd74
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138915
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138915
Autor:
Zainuriah Hassan, M.A.A.Z. Md Sahar, M.A. Ahmad, M. E. A. Samsudin, Yusnizam Yusuf, N.A. Hamzah, Rahil Izzati Mohd Asri, A.M. Hanafiah, Way Foong Lim
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1535:012042
In this work, aluminium nitride (AlN) single layer has been successfully grown on c-plane sapphire using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at low reactor pressure. The effects of growth temperature, ammonia (NH3) flux and trimethylalumin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ed3092692f4a405670baa94e2a572db
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012042
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012042
Autor:
S.N. Waheeda, Rahil Izzati Mohd Asri, M.A. Ahmad, N.A. Hamzah, M.A.A.Z. Md Sahar, Zainuriah Hassan
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1535:012036
This work demonstrated the effect of post-annealing on electrical and optical characteristics of indium tin oxide (ITO) thin films. ITO with 100 nm thickness was successfully deposited using radio frequency (RF) magnetron sputtering in oxygen-free en
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ddaea558c62a817e030850959cb06fe1
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012036
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012036
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.