Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M.A.A. in 't Zandt"'
Autor:
R. van Dalen, M.A.A. in 't Zandt, P.J.W. Weijs, A. den Dekker, Godefridus A. M. Hurkx, Erwin A. Hijzen
Publikováno v:
Journal of Electrostatics. 56:311-329
We present results of a novel punch-through diode structure which uses a thin SiGe emitter to effectively suppress impact-ionisation-related (BVce0) effects that typically start to dominate the electrical characteristics of conventional punch-through
Publikováno v:
Proceedings of 10th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) 2009, 12-15
STARTPAGE=12;ENDPAGE=15;TITLE=Proceedings of 10th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) 2009
STARTPAGE=12;ENDPAGE=15;TITLE=Proceedings of 10th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) 2009
Electrical characterisation of metal to Phase Change Material (PCM) contacts is necessary for optimum power transfer during switching of a Phase Change Random Access Memory (PCRAM) cell. In this article, titanium tungsten (Ti 0.3 W 0.7 ) to two phase
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c85c7e3f7718aa8dcfd006fb61858991
http://eprints.eemcs.utwente.nl/secure2/20002/01/roy.pdf
http://eprints.eemcs.utwente.nl/secure2/20002/01/roy.pdf
Autor:
D. Tio Castro, L. Goux, G.A.M Hurkx, K. Attenborough, R. Delhougne, J. Lisoni, F.J. Jedema, M.A.A. in `t Zandt, R.A.M. Wolters, D.J. Gravesteijn, M.A. Verheijen, M. Kaiser, R.G.R. Weemaes, D.J. Wouters
Publikováno v:
STARTPAGE=315;ENDPAGE=318;TITLE=International Electron Devices Meeting, IEDM 2007
We present physical and electrical evidence of the Thomson thermo-electric effect in line-type phase-change memory cells. This causes a shift of the molten zone during RESET programming towards the anode contact, and as a consequence the phase change
Publikováno v:
ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2003. Proceedings..
A process is shown by which both the specific on-resistance R/sub ds,on/ and the gate-drain charge density Q/sub gd/ can be reduced. Reduction of the R/sub ds,on/ is achieved by optimizing the channel profile (p-body) towards a more box-shaped profil
Publikováno v:
ISSUE=15;STARTPAGE=173;ENDPAGE=176;TITLE=15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2003
For the first time trench sidewall effective electron mobility (/spl mu//sub eff/) values were determined by using the split capacitance-voltage (CV) method for a large range of transversal effective field (E/sub eff/) from 0.1 up to 1.4 MV/cm. The i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0db2108f6cd9b5c45ba5e3645aa4d3d5
https://research.utwente.nl/en/publications/81478f66-5bd6-4f48-abbb-4b067d23533f
https://research.utwente.nl/en/publications/81478f66-5bd6-4f48-abbb-4b067d23533f
Publikováno v:
IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems. 151:225
For the first time trench sidewall effective electron mobility (/spl mu//sub eff/) values were determined by using the split capacitance-voltage (CV) method for a large range of transversal effective field (E/sub eff/) from 0.1 up to 1.4 MV/cm. The i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.