Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"M.A. Marais"'
Autor:
M.A. Marais
Publikováno v:
Economics of Education Review. 14:47-52
A typical Lorenz-curve framework is used to measure inequality of resource allocation in education in South Africa. While reductions in the degree of inequality have been achieved over the past two decades, substantial inequalities remain. The curren
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95c32e66a69fc7a2e6d3e17cbcc1f635
https://doi.org/10.1016/0272-7757(94)00027-4
https://doi.org/10.1016/0272-7757(94)00027-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Correlation between carrier concentration in Hg0.8Cd0.2Te and chlorine density as determined by sims
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 88:391-396
In order to use (HgCd)Te for photoconductive detector applications, material with a near-intrinsic free carrier concentration and therefore few residual impurities is required. Material with a high carrier concentration has been found to contain rela
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b673ddda60fdde9e54348aac96dea499
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90013-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90013-9
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 35:203-209
Intensities of X-ray photoelectron transitions from the As 3 d level are theoretically analysed taking into account many-electron interactions. The latter interactions profoundly affect the relative intensities of the transitions as well as binding e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b6d430c7afbe155dc012e0ab7316aee
https://doi.org/10.1016/0368-2048(85)80057-8
https://doi.org/10.1016/0368-2048(85)80057-8
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 35:420-422
Near intrinsic free carrier concentrations are required in (HgCd)Te material used in photoconductive detector applications. For this reason it is important to be able to determine quantitatively unintentional dopants in as-grown material. SIMS was us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1158681088d99914e0c33ef3b0b51f6
https://doi.org/10.1016/0168-583x(88)90304-7
https://doi.org/10.1016/0168-583x(88)90304-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.