Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M.A. Kressley"'
Autor:
R.B. Khamankar, M.A. Kressley, M.R. Visokay, T. Moise, G. Xing, S. Nemoto, Y. Okumo, S.J. Fang, A.M. Wilson, J.F. Gaynor, T.Q. Hurd, D.L. Crenshaw, S. Summerfelt, L. Colombo
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
A new stack capacitor structure using barium strontium titanate (BST) has been developed for Gbit scale DRAMs. The feasibility of fabrication of this structure using Pt as the electrode material is demonstrated through the use of novel processes. An
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::161e77d83ddcc2dfd6f470de618a5a06
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650372
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650372
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.