Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M.A. Fathimulla"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 9:223-225
Lattice-matched InAlAs/n-InP and InAlAs/n/sup +/-InP heterostructure MESFETs with extrinsic transconductances of 220 and 155 mS/mm, respectively, have been fabricated on semi-insulating InP substrates. Maximum stable gains of 11.5 dB for the 1.25- mu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::961cdb60cbf2cea74d52771705f5e62d
https://doi.org/10.1109/55.697
https://doi.org/10.1109/55.697
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 7:407-409
Three-input AND/NOR logic gates based on 3-µm overlapping gate InP-MISFET technology were fabricated and clocked at 1 GHz. The logic gates showed a propagation delay of ∼500-700 pS/gate for a channel length of 1.5 µm. Such high-speed performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5599a29b12cea7fb850c51f70e99ee26
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26418
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26418
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.