Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"M.A. Belaïd"'
Autor:
M.A. Belaïd, A. Nahhas
Publikováno v:
Results in Engineering, Vol 17, Iss , Pp 101003- (2023)
This paper describes a new methodology to initiate a thermal accelerated aging test, and identify the key parameters affecting the reliability of a power RF N-LDMOS transistor. The method is based on two aging techniques namely cold and hot thermal s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6fe2849386944135bc3ddf128ed54bcc
Autor:
M.A. Belaïd
Publikováno v:
Case Studies in Thermal Engineering, Vol 33, Iss , Pp 101950- (2022)
This paper focuses on exploring the correlation between electrical parameters shift of a power RF N-LDMOS transistor and the failure phenomenon that appeared after the conditioning of the pulsed RF life tests (1500 h). Investigational tests are first
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13dc3388a2514c0bbcb2c9df79a63146
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2017 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).
An analysis of the degradation occurred in RF life-tests of n-type MOSFETs operated from pulsed bench for a radar application in S-band is introduced. The analysis comes accompanied with experimental results, which are used to facilitate optimization
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07207199179c69506f8123734a108fc3
https://doi.org/10.1109/therminic.2017.8233826
https://doi.org/10.1109/therminic.2017.8233826
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2014, 54 (9-10), pp.1851-1855. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.131⟩
Microelectronics Reliability, 2014, 54 (9-10), pp.1851-1855. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.131⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2014, 54 (9-10), pp.1851-1855. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.131⟩
Microelectronics Reliability, 2014, 54 (9-10), pp.1851-1855. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.131⟩
This paper presents a reliability life test bench specifically dedicated to high RF power devices for lifetime tests under pulse conditions. The monitoring of RF power, drain, gate voltages and currents under various pulses and temperatures condition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::62f2cab22bbcbb7eebe7a9aa7a4fb16a
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.07.131
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.07.131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronics Journal
Microelectronics Journal, 2014, 45 (12), pp.1800-1805. ⟨10.1016/j.mejo.2014.06.002⟩
Microelectronics Journal, Elsevier, 2014, 45 (12), pp.1800-1805. ⟨10.1016/j.mejo.2014.06.002⟩
Microelectronics Journal, 2014, 45 (12), pp.1800-1805. ⟨10.1016/j.mejo.2014.06.002⟩
Microelectronics Journal, Elsevier, 2014, 45 (12), pp.1800-1805. ⟨10.1016/j.mejo.2014.06.002⟩
This paper presents a synthesis of leakage current effects on N-MOSFET performances, after thermal ageing in pulsed life tests. A 3000h pulsed RF life test has been conducted on a dedicated RF S-band bench in operating modes. It is interesting to und
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c3860b50c334ba9e1561581f29c4de25
https://hal.science/hal-02267365
https://hal.science/hal-02267365
