Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M.A. Bajura"'
Autor:
R. Naseer, Scott D. Stansberry, Lloyd W. Massengill, M.A. Bajura, J. Sondeen, S. DasGupta, Y. Boulghassoul, Arthur F. Witulski, Jeffrey Draper, John Damoulakis
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 54:935-945
A mathematical bit error rate (BER) model for upsets in memories protected by error-correcting codes (ECCs) and scrubbing is derived. This model is compared with expected upset rates for sub-100-nm SRAM memories in space environments. Because sub-100
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43bd05567772adb1b2beb050e9e838d9
https://doi.org/10.1109/tns.2007.892119
https://doi.org/10.1109/tns.2007.892119
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.