Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"M.-C. Hanf"'
Autor:
K. Zhang, M.-C. Hanf, D. Sciacca, R. Bernard, Y. Borensztein, A. Resta, Y. Garreau, A. Vlad, A. Coati, I. Lefebvre, M. Derivaz, C. Pirri, P. Sonnet, R. Stephan, G. Prévot
Publikováno v:
Physical Review B. 106
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::780829f800d312cd2d8404f478d81f44
https://doi.org/10.1103/physrevb.106.045412
https://doi.org/10.1103/physrevb.106.045412
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface Science. 346:145-157
We describe a new method for producing epitaxial Fe overlayers on GaAs(100), which prevents the intermixing of As in the overlayer. This is accomplished by sulphur passivation of the GaAs(100) surface in an aqueous ammonium sulphide solution, prior t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::056327087f26b4391886a357404bd511
https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00941-8
https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00941-8
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 66:1123-1125
The treatment of Ge(100) in an aqueous ammonium sulfide solution is investigated by means of x-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy, low-energy electron diffraction, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5c4cd901056ab98f0eb74653537092cb
https://doi.org/10.1063/1.113833
https://doi.org/10.1063/1.113833
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 65:171-173
Auger electron spectroscopy, low-energy electron diffraction, thermal desorption spectroscopy, and scanning electron microscopy have been utilized to investigate the thermal stability of S-passivated InP(100). S-passivated InP(100) is shown to be the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::658127eaf279966388cbf4619e179a30
https://doi.org/10.1063/1.112662
https://doi.org/10.1063/1.112662
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical review. B, Condensed matter. 52(4)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4178a2ea424ab94119033dde3a81e77a
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9981368
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9981368
Publikováno v:
Physical review letters. 74(14)
This paper proposes a new technique for the epitaxial growth of Fe on GaAs(100) which eliminates the problems of substrate interdiffusion through the overlayer. S-passivation of the GaAs(100) surface prior to Fe overgrowth is shown to be an effective
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a24ca778c19e2dae4d7bd6dec2a409b5
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10058012
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10058012