Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"M. Zier"'
Autor:
M. Zier
Publikováno v:
Meteorologische Zeitschrift, Vol 1, Iss 5, Pp 221-228 (1992)
In den oberen Lagen der deutschen Mittelgebirge kommt sowohl dem Spurenstoffeintrag durch Nebelwasserdeposition als auch der dadurch verursachten Belastung von Waldökosystemen große Bedeutung zu. Unter diesen Aspekten wurden 1987 mit einem Passivsa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6db27e5a561748099155174aa5842303
Publikováno v:
Meteorologische Zeitschrift, Vol 1, Iss 5, Pp 262-266 (1992)
Schönwiese, C.-D., unter Mitwirkung von P. Bisolli, W. Birrong und R. Ullrich: Anthropogene, klimawirksame Spurenstoffe. Mengen, Wirkung, Folgen, Gegenmaßnahmen. Klimatologische Aspekte. - Ber. d. Inst. f. Meteorologie u. Geophysik d. Univ. Frankfu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bcee83e9ff424b32a5855bf16d6ca899
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Julie P. Katkin, Jorge A. Coss-Bu, M.C. Gazzaneo, Brian Rissmiller, Janaki Paskaradevan, M. Zier
Publikováno v:
TP19. TP019 QUALITY, PROCESS, AND OUTCOMES IN ACUTE AND CRITICAL CARE.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 273:18-21
Hydrogen analysis is of particular importance in thin film technology and it is often necessary to obtain a depth profile. The method with the best depth resolution is NRA using the 6385 keV resonance of the 1H(15N,αγ)12C nuclear reaction. The corr
Publikováno v:
physica status solidi (a). 207:743-747
An X-ray Si L 2,3 -emission spectroscopy study of a SiO 2 /n-Si heterostructure containing a thin oxide layer of d = 20 nm thickness implanted by Si + ions with an energy 12keV is reported. The maximum concentration of implanted Si + ions is located
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ivo W. Rangelow, M. Zielony, Andreas Frank, Wolfgang Engl, Tzv. Ivanov, M. Zier, Teodor Gotszalk, Y. Sarov, B. E. Volland, S. Klett, Thomas Sulzbach, K. Ivanova, D. Dontzov, N. Nikolov, P. Zawierucha, Ch. Bitterlich, Walter Schott, U. Wenzel, Bernd Schmidt, Jens-Peter Zöllner, Ivan Kostic
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B 26(2008)6, 2367-2373
Scanning proximity probes are uniquely powerful tools for analysis, manipulation, and bottom-up synthesis. A massively parallel cantilever-probe platform is demonstrated. 128 self-sensing and self-actuated proximal probes are discussed. Readout based
Autor:
A. Almansa, Stefan Kolb, M. Zielony, V. Djakov, B. Schmidt, Ivo W. Rangelow, B. E. Volland, D. Dontzov, J. Mielczarski, N. Nikolov, M. Zier, K. Ivanova, S. E. Huq, Tzv. Ivanov, H. O. Blom, T. Sulzbach, R. Pedreau, P. Zawierucha, Ivan Kostic, O. Fortagne, Piotr Grabiec, Du P. Latimier, Wolfgang Engl, Y. Sarov, Teodor Gotszalk, Klaus Edinger, Arun Persaud
Publikováno v:
Microelectronic Engineering 84(2007)5-8, 1260-1264
A major limitation for future nanotechnology, particularly for bottom-up manufacturing is the non-availability of 2-dimensional massively parallel probe arrays. Scanning proximity probes are uniquely powerful tools for analysis, manipulation and bott
Publikováno v:
physica status solidi c. 4:1830-1835
The aim of the experiments was the characterization of the first stages of film growth on silicon substrates with scanning tunneling microscopy (STM) and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS). Thin Ta films were deposited in situ by