Zobrazeno 1 - 10
of 256
pro vyhledávání: '"M. Yamabe"'
Autor:
Emílio Carlos Nelli Silva, Shahin Ranjbarzadeh, Renato Picelli, L. F. N. Sá, Bruno Campello de Souza, P. V. M. Yamabe
Publikováno v:
Structural and Multidisciplinary Optimization. 64:1221-1240
Topology optimization of fluid flow problems is still a challenging open problem, especially when considering turbulence, compressibility, or the addition of different physics. In the current implementation of topology optimization for fluids conside
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Polymer Processing. 23:419-429
In this study, the warping mechanism was examined in terms of the difference in warpage behavior due to the presence or absence of fiber filler, using a ribbed plate. It was found that the warping mechanism due to anisotropic shrinkage is caused by t
Autor:
Y. Ishida, K. Naruse, Y. Kojima, M. Sakai, Y. Tomo, Masatoshi Kotera, Akira Yoshida, I. Simizu, M. Yamabe
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :247-254
Monte Carlo simulation of electron scattering in the EPL mask is introduced. Firstly, the validity of the results obtained is confirmed by a comparison with experimental result. Secondly, as the application of the simulation, the longitudinal and the
Autor:
M. Yamabe, Masatoshi Kotera, K. Tamura, Y. Kojima, M. Sakai, Akira Yoshida, I. Simizu, Y. Tomo, K. Yamada
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :255-261
A series of simulations are introduced to express the processes of the electron projection lithography quantitatively. It consists of the following three major steps: (1) electron trajectory simulation in an electron beam projection lithography optic
Autor:
M. Sakai, K. Matsuoka, Kiyoshi Yamaguchi, Masatoshi Kotera, T. Okagawa, M. Yamabe, K. Naruse, Y. Kojima
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 53:353-356
The electron trajectory simulation, considering the Coulomb interaction effect among electrons in the beam in a given electron optical system is performed. The method to obtain the resist pattern width is introduced from the results of the simulation
Publikováno v:
Theoretical and Applied Genetics. 96:325-330
Chromosomes of the three diploid Brassica species, B. rapa (AA), B. nigra (BB) and B. oleracea (CC), were identified based on their morphological characteristics, especially on the condensation pattern appearing at the somatic pro-metaphase stage. Th