Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"M. Wittmaack"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 59:247-252
Electrical properties of 20–30 nm gate oxides implanted with Si + ions are investigated using MOS capacitors and transistors. The observed programming window can reach several volts and the devices exhibit good retention behavior. A first 256 k –
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 40:867-871
MOSFETs with gateoxides containing nanoclusters (Si, Ge, Sn, Sb) fabricated with different techniques (implantation, LPCVD, sputtering) are very promising for future memories. This contribution reports on results obtained on Ge-implanted MOS capacito
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mary P. Bronner, Jerome F. Strauss, John E. Tomaszewski, Keith R. McCrae, Dudley K. Strickland, Susan L. Robinson, Mats E. Gåfvels, Hiroya Matsuo, Frank M. Wittmaack
Publikováno v:
Endocrinology. 136:340-348
The very low density lipoprotein/apolipoprotein-E receptor (VLDLR) is the newest member of the low density lipoprotein receptor (LDLR) family. Very little is known about VLDLR localization and regulation. Immunohistochemical analysis of human placent
Autor:
Bruce A. Lessey, Richard W. Tureck, Luis Blasco, Frank M. Wittmaack, Luigi Mastroianni, Donald O. Kreger
Publikováno v:
Fertility and Sterility. 62:1205-1210
Objective To determine the effect of follicular size, including the size of the leading follicle, on oocyte retrieval, fertilization, cleavage, and embryo quality in IVF cycles based on a large data collection. Design Retrospective analysis of 1,109
Autor:
Michael Stoisiek, F. Furnhammer, M. Reinhold, T. Uhlig, M. Wittmaack, R. R. Ludwig, A. Bemmann, C. Ellmers, J. Liu, Y. H. Hu, E. Votintseva, Michael Gross
Publikováno v:
Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's.
A new smart power SOC IC process including up to 50V HV-MOS transistors, SONOS principle based non-volatile memory components and analog devices using an advanced 0.18μm platform is presented. Process architecture and device portfolio are focused on