Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"M. W. Shin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jae Hoon Kim, M. W. Shin
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 36:832-834
This letter reports on the detailed thermal behavior of remote type light-emitting diode (LED) packages with different positions of a phosphor layer from the substrate. The temperatures of phosphor layers were directly measured using microthermocoupl
Publikováno v:
Journal of Materials Engineering and Performance. 22:1129-1135
Thermal distortion of gray iron brake disks due to residual stress and its effect on brake vibrations were studied. The residual stress of heat- and non-heat-treated gray iron disks was measured using neutron scattering. Dynamometer tests were perfor
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. J. Hwang, M. W. Shin, Kwang Soo Huh, Moon-Ho Ham, Jae Min Myoung, S. H. Han, J. Y. Chang, H. J. Kim, K. I. Lee, Wooyoung Lee, J. M. Lee
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 69:283-287
The magnetic and magnetotransport properties of epitaxial (Ga1-xMnx)N films with low Mn concentration (x=0.06- 0.5%) grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy have been investigated. Ferromagnetic ordering for the GaMnN is clearly seen in the t
Autor:
M. W. Shin, Robert J. Trew
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics and Systems. :211-236
Electronic and optical devices fabricated from wide band gap semiconductors have many properties ideal for high temperature, high frequency, high power, and radiation hard applications. Progress in wide band gap semiconductor materials growth has bee
Autor:
S. H. Jang, M. W. Shin
Publikováno v:
18th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
In this paper, we present the thermal analysis of high-power light-emitting diodes (LEDs) with under the real operating conditions. Thermal transient measurements were performed to study the thermal characteristics of high power LED packages. The eff