Zobrazeno 1 - 10 of 140 pro vyhledávání: '"M. W. Cho"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Association between Sarcopenia and Dipstick Proteinuria in the Elderly Population: The Korea National Health and Nutrition Examination Surveys 2009–2011
Autor: Du-na Hwang, Minyong Choi, Sang Hyun Lee, Young-Min Park, M. W. Cho
Publikováno v: Korean Journal of Family Medicine
Background Sarcopenia and proteinuria are significant health difficulties in the elderly; however, few studies have investigated their relationship. In this study, we investigated the association between sarcopenia and proteinuria in Korean subjects
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f1bf542945ca8a9d938bd21b51c0853a
http://europepmc.org/articles/PMC5711657
Zobrazit plný text záznamu
9
Effects of interfacial layer structures on crystal structural properties of ZnO films
Autor: Seunghwan Park, Soon-Ku Hong, Sang Hyun Lee, M. W. Cho, Jiho Chang, Takafumi Yao, Tsutomu Minegishi, Jinsub Park, I.H. Im, Takashi Hanada, Takashi Goto
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 26:90-96
Single crystalline ZnO films were grown on Cr compound buffer layers on (0001) Al2O3 substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. In terms of lattice misfit reduction between ZnO and substrate, the CrN and Cr2O3/CrN buffers are investigated.
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b977d8967df9e0f5bab29a728a23b281
https://doi.org/10.1116/1.2821741
Zobrazit plný text záznamu
10
Free standing GaN layers with GaN nanorod buffer layer
Autor: Hiroki Goto, S. W. Lee, Hyunjae Lee, Hyo-Jong Lee, Takafumi Yao, M. W. Cho, Jun-Seok Ha
Publikováno v: physica status solidi c. 4:2268-2271
Thick GaN films were grown by HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) on c-sapphire substrates with GaN nano-rod buffer layers. Lateral epitaxial growth mode was adapted to grow GaN thick films on nano-structure buffer. Thick GaN films were self-separated
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a65b6b0b0b127640b530b7ed9a52dfd4
https://doi.org/10.1002/pssc.200674858
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje