Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"M. Voelskov"'
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
The room-temperature photoluminescence emission and excitation spectra of Si3N4 films implanted with Ge+ and Ar+ ions were investigated as a function of the ion dose and temperature of subsequent annealing. It was established that the implantation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::93b8792ac13db521d3354e82bc830276
https://doi.org/10.1134/1.1187721
https://doi.org/10.1134/1.1187721
Autor:
G. Teichert, Jörg Pezoldt, Wolfgang Skorupa, R.A. Yankov, M. Voelskov, L. Schleicher, Ch. Knedlik
Publikováno v:
MRS Proceedings. 540
Photothermal methods provide a valuable complement to the destructive measurement techniques for the detection of the optimal process conditions in ion beam synthesis of wide band gap semiconductor compounds. In addition to their nondestructive and n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ed7809856c3315fec0ac47b44523b26
https://doi.org/10.1557/proc-540-103
https://doi.org/10.1557/proc-540-103
Autor:
M. Voelskov, J. Heydenreich, D. Hoehl, J. Matthäi, A. V. Rzhanov, Peter Werner, I. G. Melnik, F. L. Edelman
Publikováno v:
physica status solidi (a). 98:383-390
Structural changes due to annealing of silicon films obtained by chemical vapor deposition in a low-pressure reactor on thermally oxidized silicon wafers are investigated using high-voltage (HVEM) and high-resolution electron microscopy (HREM). The a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::06c6c6ef5c1a0b1e6a1ffb6935caa4e1
https://doi.org/10.1002/pssa.2210980208
https://doi.org/10.1002/pssa.2210980208
Autor:
R. Kögler, A. Wolf, J.-W. Erben, C. Hamann, J. Matthai, M. Heber, M. Voelskov, R. Klabes, W. Wieser, C. Weissmantel, W. Scharff
Publikováno v:
Thin Solid Films. 113:327-335
The growth of device-worthy silicon crystals on insulating substrates would offer a new type of semiconductor technology. Lateral epitaxial growth is demonstrated for several types of structures using island configurations of silicon deposited either
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8db809c0acf231784ed70ab0204e6ac
https://doi.org/10.1016/0040-6090(84)90472-3
https://doi.org/10.1016/0040-6090(84)90472-3
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.