Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"M. Verbeck"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 31:908-914
This paper describes techniques and methods used to realize a seventh order switched-capacitor low pass filter in SIMOX technology. The filter has Bessel characteristic and a 3 dB-bandwidth of 20 Hz at a clock frequency of 100 kHz. Special design of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2a5fdfbfb6d069ea021279b5ff12756
https://doi.org/10.1109/4.508202
https://doi.org/10.1109/4.508202
Autor:
Luca Ravezzi, B. Celli-Urbani, S. Chokkalingam, I. Koren, M. Verbeck, C. Andreotti, A. Blum, Otto Schumacher, Hamid Partovi, P. Lindt, Karthik Gopalakrishnan, D. Friebe, W. Walthes, Michael Bruennert, U. Lange
Publikováno v:
ISSCC
Data recovery and retiming of 4.8Gb/s fully buffered DIMM serial links are described. A 2.4GHz retiming FIFO with an integrated insertion MUX is used to minimize the thru-latency. Fabricated in a 0.13mum 1.5V CMOS technology, the chip occupies 9.2 ti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9662f9479c3692b48195f0ca0db00602
https://doi.org/10.1109/isscc.2006.1696179
https://doi.org/10.1109/isscc.2006.1696179
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 18:541-543
A thin-film SIMOX technology has been used for fabrication of a single-polysilicon EEPROM cell suitable for high-temperature applications. The two transistor cell is composed of a select transistor and a floating gate transistor with 10 nm tunnel oxi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30c286696db5822fb8e7318a1c72e065
https://doi.org/10.1109/55.641439
https://doi.org/10.1109/55.641439
Autor:
B. Knoll, Y. Gsottberger, R. Glaser, D. Leitner, C. Braun, Werner Weber, M. Schnell, M.X. Shi, D. Savio, M. Verbeck, G. Stromberg, C. Lauterbach, J. Dienstuhl
Publikováno v:
IEEE VLSI-TSA International Symposium on VLSI Technology, 2005. (VLSI-TSA-Tech)..
As the semiconductor industry matures a paradigm shift occurs, away from the technology-push to a more application-driven exploitation. In this paper, applications are discussed that describe achievements along the road towards 'disappearing electron
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abba91a2766554d650e815805d4c440c
https://doi.org/10.1109/vtsa.2005.1497076
https://doi.org/10.1109/vtsa.2005.1497076
Publikováno v:
American Journal of Epidemiology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1156a6cd4426510726aa7f99edbd592
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.aje.a116586
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.aje.a116586
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.