Zobrazeno 1 - 10 of 91 pro vyhledávání: '"M. Vandini"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Thermoluminescence (TL) characterisation and dating feasibility of ancient glass mosaic
Autor: Emanuela Sibilia, M. Vandini, Marco Martini, Cristina Chiavari
Publikováno v: Quaternary Science Reviews. 20:967-972
To achieve a better comprehension of the thermoluminescence (TL) properties and dating feasibility of mosaic glasses, a study on the connections between chemical composition and general TL behavior of glass tesserae has been carried out. Elemental an
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::14a01d866870e532c9c5dc681ec34bb1
https://doi.org/10.1016/s0277-3791(00)00028-7
Zobrazit plný text záznamu
8
Chemical composition, thermal properties and weathering of a Roman Azur tessera from the Ninfeo of Punta Epitaffio in Baia
Autor: BRANDA, FRANCESCO, LUCIANI, GIUSEPPINA, COSTANTINI, ANIELLO, G. Laudisio, M. Vandini
An ancient musive glassy tessera was investigated and the results arc reported in this paper The tessera was recovered from the Ninfeo of Punta Epitaffio luring the underwater excavation in the sea in front of Baia, which nowadays is a little town ne
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3730::faa6fde7e23afec1ea2d9213d01211e3
http://hdl.handle.net/11588/467325
Zobrazit plný text záznamu
9
Minority and majority carrier traps associated with oxidation induced stacking faults in silicon
Autor: Anthony R. Peaker, Y. Qian, Muzeyyen Saritas, J. A. Davidson, M. Vandini, J.H. Evans
Publikováno v: Materials Science and Technology. 11:696-701
Majority and minority traps associated with oxidation induced stacking faults (OISFs) have been investigated by deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy. Electron and hole traps have been characterised in n and p
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8d4eb1776c09d7c0d02946990f11348
https://doi.org/10.1080/17432847.1995.11948726
Zobrazit plný text záznamu
10
Optical characterization of deep states associated with oxidation-induced stacking faults in silicon
Autor: M. Vandini, I. D. Hawkins, Antonio Castaldini, J.H. Evans, Anthony R. Peaker, Anna Cavallini
Publikováno v: Materials Science and Engineering: B. 24:170-174
We have studied the effect of sub-band gap radiation on the defects associated with the Frank partial dislocation (Burgers vector a /3(111)) bounding oxidation-induced stacking faults (OISF) in n-type silicon. We have observed the contrast produced u
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e470303bf34c4d5aa74539400f46379
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90321-2
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje