Zobrazeno 1 - 10
of 542
pro vyhledávání: '"M. Van Hove"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aarabhi Gurumoorthy, Santiago M.C. Lopez, Geralyn Palmer, Christopher M Van Hove, Travis Kooima, Landon L Withrow
Publikováno v:
Pediatric Infectious Disease Journal. 41:205-210
BACKGROUND American Indian (AI) children are at increased risk for severe disease during lower respiratory tract infection (LRTI). The reasons for this increased severity are poorly understood. The objective of this study was to define the clinical p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8fa54e5d39bb53279a5b68eb38f6bcb1
https://doi.org/10.1097/inf.0000000000003406
https://doi.org/10.1097/inf.0000000000003406
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S Gray, M van Hove
Publikováno v:
Perspectives in Public Health. 141:319-321
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b3248564ba70b1295f41b29184b267ad
https://doi.org/10.1177/17579139211053366
https://doi.org/10.1177/17579139211053366
Autor:
Steve Stoffels, Benoit Bakeroot, Matteo Meneghini, Matteo Borga, Carlo De Santi, Ming Zhao, Xiangdong Li, M. Van Hove, Enrico Zanoni, Stefaan Decoutere, Gaudenzio Meneghesso
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:595-599
We present a model for the vertical conduction through an AlN/p–Si junction, which is used as a base for the growth of GaN power devices. First, we recall that for resistive silicon substrates, the ${I}$ – ${V}$ curves of the AlN/p–Si show a mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae6d5de6cfa190203ceb949b2a9a7d82
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2964060
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2964060
Autor:
Martin Jakob, M. Van Hove, Claudio Nägeli, C. Camarasa, Jelle Laverge, P Fennell, Shima Ebrahimigharehbaghi, Marc Delghust, Jared Langevin, F. Federico, N. Sandberg, Érika Mata, James Webster, Janet Reyna
Buildings contribute 40% of global greenhouse gas emissions; therefore, strategies that can substantially reduce emissions from the building stock are key components of broader efforts to mitigate climate change and achieve sustainable development go
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f34c46d87419a6ca737cbd1da0228cf9
https://escholarship.org/uc/item/65d780ks
https://escholarship.org/uc/item/65d780ks
Autor:
M. Van Hove, Matteo Meneghini, Ming Zhao, Stefaan Decoutere, Steve Stoffels, Matteo Borga, Xiangdong Li, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. :584-588
This paper presents an extensive analysis of the impact of substrate and buffer properties on the performance and breakdown voltage of E-mode power HEMTs. We investigated the impact of buffer thickness, substrate resistivity and substrate miscut angl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::859c08ddc0d0481dfdad10c7515d435a
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.036
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.036
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.