Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M. Trentsch"'
Autor:
John A. Fitzsimmons, Vincent J. McGahay, K. Malone, M. Minami, Siddhartha Panda, Manfred Horstmann, A. Wei, Helmut Bierstedt, H. Nii, A. Waite, A. Sakamoto, Michael A. Gribelyuk, M. Cullinan-Scholl, D. Harmon, A. Hellmich, M. Kiene, Patrick Press, Hartmut Ruelke, H. Zhu, H. Chen, H. Nakayama, Anthony G. Domenicucci, G. Sudo, Henry A. Nye, P. Fisher, Hans-Jürgen Engelmann, H. VanMeer, M. Newport, X. Chen, Tenko Yamashita, Cathryn Christiansen, Hasan M. Nayfeh, Dureseti Chidambarrao, Guido Koerner, Christopher D. Muzzy, S.-F. Huang, Ralf Otterbach, David M. Fried, J. Kluth, Jörg Hohage, M. Trentsch, I. Peidous, Thorsten Kammler, Mukesh Khare, Dominic J. Schepis, K. Rim, Spooner Terry A, K. Miyamoto, P.V. McLaughlin, Michael Raab, T. H. Ivers, Dan Mocuta, D.R. Davies, Jason Gill, Scott Luning, Woo-Hyeong Lee, Gary B. Bronner, Judson R. Holt, Gregory G. Freeman, Matthias Schaller, R. Murphy, J. Pellerin, J. Klais, Kai Frohberg, A. Neu, N. Kepler, R. Bolam, C. Labelle, Anuj Madan, K. Hempel, C. Reichel, Heike Salz, J. Hontschel, T. Sato, J. Cheng, D. Greenlaw, Linda Black, Paul D. Agnello, K. Ida
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
A high performance 65 nm SOI CMOS technology is presented. Dual stress liner (DSL), embedded SiGe, and stress memorization techniques are utilized to enhance transistor speed. Advanced-low-K BEOL for this technology features 10 wiring levels with a n
Autor:
Guido Koerner, Hans-Jürgen Engelmann, H. Nii, Martin Gerhardt, Andy Wei, Hartmut Ruelke, L. T. Su, Mukesh Khare, Manfred Horstmann, Rolf Stephan, O. Herzog, Ralf Otterbach, Judson R. Holt, Dureseti Chidambarrao, Peter Javorka, Helmut Bierstedt, C. Reichel, P. Hubler, Heike Salz, J. Hontschel, H. Chen, Thorsten Kammler, Dominic J. Schepis, A. Hellmich, T. Sato, Woo-Hyeong Lee, N. Kepler, S. Liming, David M. Fried, Matthias Schaller, Michael Raab, Thomas Feudel, D. Greenlaw, Shih-Fen Huang, John Pellerin, Kai Frohberg, A. Neu, Patrick Press, J. Klais, Siddhartha Panda, Andrew Waite, K. Hempel, Markus Lenski, Bernhard Trui, Jörg Hohage, K. Rim, M. Trentsch
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
An optimized 4-way stress integration on partially-depleted SOI (PD-SOI) CMOS is presented. An embedded-SiGe process and a compressive-stressed liner film are used to induce compressive strain in the PMOS (PMOS "stressors"). A stress memorization pro
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.