Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"M. Touirat"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 22:163-165
In this letter, an investigation of pseudomorphic Ga/sub 0.25/Al/sub 0.75/As/Ga/sub 0.80/In/sub 0.20/As/GaAs heterostructure insulated-gate FETs (HIGFET) far microwave power applications is presented. Devices have been fabricated using Au/WSi self-al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d69dc6070cc962a63ff71c4c7f25d316
https://doi.org/10.1109/55.915599
https://doi.org/10.1109/55.915599
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:203-205
In this letter, 0.35 /spl mu/m gate length pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure insulated-gate field-effect-transistors (HIGFETs) have been fabricated on GaAs. The short-channel effects have been reduced by using a sidewall technology. A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d85bb7f0eb6da8c2fd6b9b6043139908
https://doi.org/10.1109/55.761015
https://doi.org/10.1109/55.761015
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.