Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"M. Tokumitsu"'
Publikováno v:
Brain and Spine, Vol 4, Iss , Pp 103031- (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d87ee1dfcde44e99b9fa9d743fbff5cf
Publikováno v:
Brain and Spine, Vol 4, Iss , Pp 103239- (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c59d82c7409a4f2eb2b4c1a90bd231f5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Advanced Packaging. 26:133-140
The moisture resistance of three-dimensional (3-D) interconnects using organic insulator films and Au metals has been investigated to ascertain the feasibility of housing monolithic-microwave integrated circuits with these interconnects in inexpensiv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d266a02a2101bc73d799bff39563670c
https://doi.org/10.1109/tadvp.2003.817338
https://doi.org/10.1109/tadvp.2003.817338
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 44:2347-2353
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f6b77d56b779f91673632eb32bd9821
https://doi.org/10.1109/22.554555
https://doi.org/10.1109/22.554555
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 39:209-215
GaAs monolithic microwave integrated circuits (MMICs) with very low current and of very small size have been developed for L-band front-end applications. The MMICs fully employ lumped LC elements with uniplanar configurations. There are two kinds of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2bae7501f43d74b9b7ab018d06e78986
https://doi.org/10.1109/22.102962
https://doi.org/10.1109/22.102962
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 9:148-150
V-band monolithic low-noise amplifiers (LNAs) were successfully fabricated using a manufacturable GaAs MESFET process. Ion-implanted n/sup +/-self-aligned GaAs MESFETs, which are used to make digital ICs, were employed. A fabricated single-stage LNA
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c51bb908d195c5ba1b0f91d0b40a997b
https://doi.org/10.1109/75.763243
https://doi.org/10.1109/75.763243
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
DC and RF characteristics of InP-based HEMTs were improved by employing a laterally scaled down ohmic structure and an InGaAs/InAs composite channel. Through the combination of our process technology for fabricating this structure and that for scalin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66540aecfbb04d238b906615d178d947
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609469
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609469