Zobrazeno 1 - 10
of 212
pro vyhledávání: '"M. Tlaczala"'
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 12, Iss 4, Pp 223-229 (1987)
X-Ray investigations of GaAs epitaxial layers obtained from Ga-As-Bi solutions with different amounts of bismuth are presented. An equilibrium cooling and two phase technique for the deposition of the GaAs epitaxial layers on semi-insulating GaAs:Cr(
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4eb5bbe82cef4dcdbbaa7b4265d8113c
Autor:
D. Pudis, M. Tlaczala, L. Suslik, W. Dawidowski, B. Sciana, J. Kovac, M. Goraus, P. Gaso, J. Durisova, I. Zborowska-Lindert
Publikováno v:
2016 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM).
In this paper we present GaAs-based photodiode with implemented polydimethylsiloxane (PDMS) membranes with patterned photonic crystal (PhC) structures on surface. Two-dimensional (2D) PhC surface relief structures of square symmetry were analyzed by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c7c5c78fa8bf7c280cebf96cec4612e
https://doi.org/10.1109/asdam.2016.7805888
https://doi.org/10.1109/asdam.2016.7805888
Autor:
J. Chovan, D. Hasko, D. Radiewicz, B. Sciana, N. Klasovity, M. Tlaczala, I. Zboirowska-Lindert, A. Vincze, Jaroslav Kováč, P. Gurnik
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this work the influence of one and two (Si) /spl delta/-doped GaAs layers on the electrical and optical properties of MSM photodetectors has been studied. The sheet concentration and position of /spl delta/-doped layers in the structure were confi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cfc82087c7634ef0306df4ae24d65dbe
https://doi.org/10.1109/edmo.2001.974286
https://doi.org/10.1109/edmo.2001.974286
Autor:
Regina Paszkiewicz, Bartłomiej Paszkiewicz, S. V. Novikov, M. Panek, R. Korbutowicz, M. Tlaczala
Publikováno v:
Heterostructure Epitaxy and Devices — HEAD’97 ISBN: 9780792350132
Heterostructure Epitaxy and Devices — HEAD’97
Heterostructure Epitaxy and Devices — HEAD’97
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a845846514702c6542e1ead055be9ce9
https://doi.org/10.1007/978-94-011-5012-5_16
https://doi.org/10.1007/978-94-011-5012-5_16
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Kristall und Technik. 12:541-545
The epitaxial growth of InN by the open tube flow method using the interaction of InCl3 and NH3 is discussed. The influence of various technological parameters on the process and structure perfection of the epitaxial layers, grown on the single cryst
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::002d0b8dddaf898d7c9e7290dbdec7bc
https://doi.org/10.1002/crat.19770120603
https://doi.org/10.1002/crat.19770120603
Publikováno v:
Crystal Research and Technology. 17:835-840
The growth kinetics of GaN on Sapphire was analyed on the base of some experimental data such as: the growth rate temperature depandence, on the base of some experimental data such as: the growth rate temperature dependence, the grwoth rate dependenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8341b5396e37fab6dd61212823557d71
https://doi.org/10.1002/crat.2170170708
https://doi.org/10.1002/crat.2170170708
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.