Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"M. Tiner"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :523-528
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c66f799a2b9e6b0367576dc597c57bad
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.408-412.523
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.408-412.523
Autor:
M. Tiner, L. Prabhu, Chris Hobbs, Philip J. Tobin, J. Conner, S. Bagchi, L. B. La, David Gilmer, Rama I. Hegde, O. Adetutu
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 18:1158-1162
The compatibility of metallic titanium nitride (TiN) as a gate electrode on TiO2 and Ta2O5 gate dielectrics is investigated by rapid thermal annealing (RTA). The electrical and physical properties are characterized using I–V measurements and transm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f020c8e47512bde10d444c331115b4b4
https://doi.org/10.1116/1.582317
https://doi.org/10.1116/1.582317
Publikováno v:
1999 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.99CH36345).
SOI technology has several advantages over bulk Si, including potentially lower leakage, higher speed, freedom from latch-up, and lowered parasitic capacitance. However, issues such as floating body effects, poorer thermal conductivity, lack of devic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a730574ed00decce8679ce803557687d
https://doi.org/10.1109/soi.1999.819882
https://doi.org/10.1109/soi.1999.819882
Autor:
S. Samavedam, P. Tobin, J. Conner, S. Bagchi, J. Chen, J.M. Grant, M. Tiner, F. Huang, L. Prabhu
Publikováno v:
2000 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.00CH37125).
As microelectronics technology enters the deep-submicron arena, fully depleted SOI (FDSOI) technology assumes a prominent position as a potential solution to the problems associated with continued device scaling. Some of the possible benefits of usin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f26da427f1fc434af7e92cb798a88f64
https://doi.org/10.1109/soi.2000.892767
https://doi.org/10.1109/soi.2000.892767
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 8:678-679
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c0df72a0b97125487b088952b3e6c334
https://doi.org/10.1017/s1431927602106398
https://doi.org/10.1017/s1431927602106398
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 8:544-545
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a329f067e52a44fcbad019330555c3c
https://doi.org/10.1017/s1431927602105393
https://doi.org/10.1017/s1431927602105393
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 7:870-871
Current trends seek to make TEM operation more routine and productive. One of these follows the lead made in scanning electron microscopy in which the spatial distribution of crystallographic data over a selected area of a sample surface is determine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b319c63a8fe74dc2785d5a6110815704
https://doi.org/10.1017/s1431927600030427
https://doi.org/10.1017/s1431927600030427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.