Zobrazeno 1 - 10
of 163
pro vyhledávání: '"M. Thesberg"'
Autor:
M. Thesberg, Z. Stanojevic, O. Baumgartner, C. Kernstock, D. Leonelli, M. Barci, X. Wang, X. Zhou, H. Jiao, G.L. Donadio, D. Garbin, T. Witters, S. Kundu, H. Hody, R. Delhougne, G. Kar, M. Karner
Owing to the increasing interest in the commercialization of phase-change memory (PCM) devices, a number of TCAD models have been developed for their simulation. These models formulate the melting, amorphization and crystallization of phase-change ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4162c07533c5f97553bcd5bf1c7e9376
http://arxiv.org/abs/2211.06084
http://arxiv.org/abs/2211.06084
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Truijen, B. O'Sullivan, Md Nur K. Alam, D. Claes, M. Thesberg, P. Roussel, A. Chasin, G. Van den Bosch, B. Kaczer, J. Van Houdt
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52ba6a60064bfdfafb50d72def741da2
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764603
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764603
Autor:
M. Garcia Bardon, Guido Groeseneken, J. Van Houdt, Mihaela Popovici, Philippe Roussel, Y. Xiang, Naoto Horiguchi, B. Kaczer, Brecht Truijen, Lars-Ake Ragnarsson, M. Thesberg, Nur K. Alam, Bertrand Parvais, Anne S. Verhulst
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We present a kinetics-based analysis of the steep slope operation of ferroelectric (FE) FETs built on (i) a statistical multidomain nucleation-propagation mechanism of FE polarization switching and (ii) charge trapping in the high- K FE oxide. With a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8f16e657b0ffe468dcf0f761a4f4e14
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993492
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993492
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Kaczer, Mihaela Popovici, Ph. J. Roussel, Naoto Horiguchi, Nur K. Alam, J. Van Houdt, Lars-Ake Ragnarsson, Anne S. Verhulst, Bart Vermeulen, Brecht Truijen, M. Thesberg, M.M. Heyns
Publikováno v:
2019 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
Response of a metal\ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 \metal capacitor to an arbitrary excitation is investigated by polarization reversal curves and switching speed characterization. Results are explained in a steady-state Preisach as well as a modifi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6c0fa50e409dd13d637551ec59e59f2
https://doi.org/10.1109/s3s46989.2019.9320678
https://doi.org/10.1109/s3s46989.2019.9320678
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.