Zobrazeno 1 - 10
of 306
pro vyhledávání: '"M. Teisseire"'
Publikováno v:
International Journal of Infectious Diseases, Vol 116, Iss , Pp S27- (2022)
Purpose: In the first quarter of 2020, World Health Organization (WHO) declared COVID-19 as a public health emergency around the globe. Therefore, different users from all over the world shared their thoughts about COVID-19 on social media platforms
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3aece8d010d94a5eaac248ba2575e613
Publikováno v:
International Journal of Infectious Diseases, Vol 116, Iss , Pp S99- (2022)
Purpose: Event Based Surveillance (EBS) systems detect and monitor diseases by analysing articles from online newspapers and reports from health organizations (e.g. FAO, OIE, etc.). However, they partially integrate data from social networks, even th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7c9473903dda454eac5f9069723302ed
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marc Portail, Thierry Chassagne, M. Teisseire, Adrien Michon, Stéphane Vézian, Marcin Zielinski
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 404:157-163
We report on the formation of Si dots on SiC surfaces, using chemical vapor deposition technique. Small nanometric objects, with lateral sizes and heights down to 10 and 4 nm respectively, can be obtained, letting expect quantum confinement in the fo
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 404:177-183
We report on the selective area growth of semipolar (11-22) GaN epilayers on wet etched r-plane patterned sapphire substrates (PSS) by metal organic chemical vapor deposition. Using a three-step growth method, planar (11-22) GaN epilayers on 2 in. wa
Autor:
M. Teisseire, M. Nemoz, Philippe Vennéguès, Julien Brault, Y. Xia, Jean-Michel Chauveau, Mathieu Leroux
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 388:35-41
Gallium nitride (GaN) epitaxial layers have been grown on O face ( 000 1 ¯ ) zinc oxide (ZnO) substrates by ammonia source molecular beam epitaxy. By adjusting the growth temperature and the III/V ratio during the nucleation stage, GaN layers with G
Autor:
Christelle Brimont, Thierry Guillet, Bernard Gil, M. Teisseire, Jean-Michel Chauveau, Luc Beaur, Dimitri Tainoff, Thierry Bretagnon
Publikováno v:
physica status solidi c. 9:1320-1324
We report growth of high quality ZnO/(Zn,Mg)O quantum wells, with 20% magnesium content, on M-plane oriented ZnO substrates. The optical properties are studied by reflectance spectroscopy and continuous wave photoluminescence. The reflectance spectra