Zobrazeno 1 - 10
of 151
pro vyhledávání: '"M. Stocchi"'
Autor:
S. Massaro, M. Stocchi, B. Martínez Montesinos, L. Sandri, J. Selva, R. Sulpizio, B. Giaccio, M. Moscatelli, E. Peronace, M. Nocentini, R. Isaia, M. Titos Luzón, P. Dellino, G. Naso, A. Costa
Publikováno v:
Natural Hazards and Earth System Sciences, Vol 23, Pp 2289-2311 (2023)
Nowadays, modeling of tephra fallout hazard is coupled with probabilistic analysis that takes into account the natural variability of the volcanic phenomena in terms of eruption probability, eruption sizes, vent position, and meteorological condition
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aee61ac85e794844b8998ad6a625a22d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuji Yamamoto, Yasar Gurbuz, Mehmet Kaynak, A. Goeritz, Canan Baristiran Kaynak, F. Korndoerfer, M. Stocchi, Matthias Wietstruck
Publikováno v:
ECS Transactions. 93:105-108
In this paper, the process effects of SiGe/Si multi quantum well (MQW) stack is presented in terms of its 1/f noise performance in an intrinsic thermal detector device. In particular, boron (B) doping in SiGe quantum wells and carbon (C) delta layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fe7539551a9ac10441b6c16c7d288540
https://doi.org/10.1149/09301.0105ecst
https://doi.org/10.1149/09301.0105ecst
Publikováno v:
2020 50th European Microwave Conference (EuMC).
In this paper, the development of a BiCMOS embedded TSV technology for mm-wave/sub-THz applications is demonstrated. Annular-type TSVs enable low loss TSV transitions up to 300 GHz. Back-to-back TSV transitions are fabricated and characterized from 2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ef2779a176162f5d3127e0c3376c2e2
https://doi.org/10.23919/eumc48046.2021.9338247
https://doi.org/10.23919/eumc48046.2021.9338247
Publikováno v:
RWS
A layout based finite element thermal convection model including detailed board tracing and packaging information is developed. A state-of-art 0.13-µm SiGe BiCMOS chip with embedded poly-resistors and thermal diodes are used as experimental validati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36947814b5eb131fca97a38bc21cc625
https://doi.org/10.1109/rws45077.2020.9050057
https://doi.org/10.1109/rws45077.2020.9050057
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M, Stocchi, D, Mencarelli, L, Pierantoni, D, Kot, M, Lisker, A, Göritz, C, Baristiran Kaynak, M, Wietstruck, M, Kaynak
Publikováno v:
Applied optics. 58(19)
The investigation of the optical constants (e.g., the refractive index n and the extinction coefficient κ) has been performed in the mid-infrared spectrum for various silicon nitride (SiN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::2e3cd3f8eafc598b5a5455aad2680413
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31503619
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31503619
Autor:
F. Teply, A. Goeritz, Yuji Yamamoto, M. Kaynak, M. Wietstruck, Yasar Gurbuz, Canan Baristiran Kaynak, M. Stocchi
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dabfa808527ec3c4edb8fcd713d602d2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-9-04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-9-04
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.