Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"M. Sharibaev"'
Autor:
M. Sharibaev, Q.A. Ismailov
Publikováno v:
Eurasian Journal of Physics and Functional Materials, Vol 2, Iss 4, Pp 353-359 (2018)
The effect of electron irradiation (E=0.6-1.8 MeV) on the optical characteristics (photoluminescence, PL) of CdTe/ZnTe structures with quantum dots, QDs, was investigated in the temperature range from 4.2 to 250 K. The data on the influence of irradi
Autor:
Yu. G. Sadofyev, Ye.Yu. Braylovsky, M. Sharibaev, Ye.F. Venger, L. V. Borkovskaya, M.P. Semtsiv, Nadezhda E. Korsunskaya, G. N. Semenova
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 80:193-196
The effect of electron and X-ray irradiation on the optical characteristics of CdZnTe/ZnTe quantum-size structures has been investigated. A comparison between the results of both irradiations has shown an essential role of electron excitation in radi
Autor:
G. N. Semenova, Yu. G. Sadofyev, M. V. Vuychik, N.O. Korsunska, M. Sharibaev, L. V. Borkovska, M. Ya. Valakh, Viktor Strelchuk
CdSe/ZnSe structures with a quantum dot extrinsic photoluminescence band related to the defects that contain vacancies in cation sublattice has been investigated. It is shown that such defects can be localized in different parts of heterostructure (i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6742234190d34b12971671b2f494d99c
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121242
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121242
Autor:
G. N. Semenova, E. F. Venger, M.P. Semtsiv, B. Embergenov, M. Sharibaev, L. V. Borkovskaya, Nadezhda E. Korsunskaya, Yu. G. Sadof’ev, Vasily P. Klad'ko
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
V The effect of the 5 am thick ZnTe intermediate layers obtained by solid phase crystallization at growth temperature on the optical properties of ZnTe epilayers grown by molecular beam epitaxy (MBE) on (100) GaAs substrates has been investigated by
Autor:
L. V. Borkovskaya, B. R. Dzhumaev, Nadezhda E. Korsunskaya, Yu. G. Sadof’ev, Vasily P. Klad'ko, B. Embergenov, G. N. Semenova, M. Sharibaev, M.P. Semtsiv, E. F. Venger
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
In this work we report the depth inhomogeneity study of MBE grown ZnSe, CdZnTe and ZnTe/(001) GaAs epilayers of different thickness by x-ray and depth resolved photoluminescence methods. Step etching and different wavelength excitation were used for
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.