Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M. Scheffer-Czygan"'
Autor:
B. Weinert, Peter Rudolph, M. Neubert, M. Pietsch, M. Scheffer-Czygan, M. Jurisch, Ch. Frank-Rotsch, St. Eichler, M. Czupalla, K. Trompa
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 310:2120-2125
A modified vapor pressure-controlled Czochralski (VCz) method is reported which employs a diving bell around the growing crystal. Semi-insulating (SI) GaAs crystals with a diameter of 160 mm and an overall length up to 220 mm were grown from melts of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::480fbdf228a5e38ce1ddf75e4898f6ff
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.045
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.045
Publikováno v:
physica status solidi c. 4:2934-2939
The present paper investigates the correlations between the cell dimension d of characteristic dislocation cell patterns and acting thermo-elastic stress τ at the growth of 6-inch semi-insulating VCz and VGF GaAs crystals. Whereas the dislocation de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96af6c4cd79d58435aed2c41317364ba
https://doi.org/10.1002/pssc.200675439
https://doi.org/10.1002/pssc.200675439
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 9:345-350
Residual stress in GaAs-wafers was investigated on different length scales by rapid full wafer imaging and by microscopic imaging of dislocation cells, using photoelastic homodyne techniques. These non-contact and non-destructive defect and stress im
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a68d6b7439b1479665506c5250fa41b
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.01.076
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.01.076
Autor:
Ph. Plänitz, U. Kretzer, C. Radehaus, S. Eichler, M. Scheffer-Czygan, F. Chicker, R. Leitsmann
Publikováno v:
2011 Semiconductor Conference Dresden.
Full ab-initio Car-Parrinello (CP) calculations have been performed to study effects of defects, vacancies and antisites, as well as various boron sites in silicon doped GaAs. The calculations, which include full relaxation of all ionic coordinates,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::421a347f1a0ed2581ba123cd505b22ed
https://doi.org/10.1109/scd.2011.6068765
https://doi.org/10.1109/scd.2011.6068765
Autor:
R. Leitsmann, M. Scheffer-Czygan, F. Chicker, Ph. Plänitz, U. Kretzer, S. Eichler, C. Radehaus
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 109:063533
First principles calculations have been performed to investigate defect equilibria of the silicon–boron pair complex (Si–B) in a GaAs matrix. For several charge states, the formation energies were evaluated within the Car–Parrinello scheme cons
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ffd203566e3fb225b6e9ab45312f80ec
https://doi.org/10.1063/1.3561373
https://doi.org/10.1063/1.3561373
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.