Zobrazeno 1 - 10
of 308
pro vyhledávání: '"M. Ryzhii"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 13, Iss 1, Pp 1-10 (2023)
Abstract We propose the terahertz (THz) detectors based on field-effect transistors (FETs) with the graphene channel (GC) and the black-Arsenic (b-As) black-Phosphorus (b-P), or black-Arsenic-Phosphorus (b-As $$_x$$ x P $$_{1-x}$$ 1 - x ) gate barrie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29f86cc7fafb47e6a4339011fe2df331
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 13, Iss 8, Pp 085301-085301-7 (2023)
We investigate the response of the micromechanical field-effect transistors (MMFETs) to the impinging terahertz (THz) signals. The MMFET uses the microcantilevers (MC) as a mechanically floating gate and the movable mirror of the Michelson optical in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b134b1c7f594533b440a224a97de11a
Autor:
D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, Y. G. Goncharov, M. Ryzhii, T. Otsuji, I. E. Spector, M. Shur, M. Skorobogatiy, K. I. Zaytsev, D. S. Ponomarev
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 1, Pp 015112-015112-5 (2019)
We report on the design, optimization and fabrication of a plasmon-assisted terahertz (THz) photoconductive antenna (PCA) for THz pulse generation at low-power optical pumps. The PCA features a high aspect ratio dielectric-embedded plasmonic Au grati
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/847bb75556904f43b760ebd56a2f09d4
We evaluate the terahertz (THz) detectors based on field effect transistor (FET) with the graphene channel {GC} and a floating metal gate (MG) separated from the GC by a black-phosphorus (b-P) or black-arsenic (b-As) barrier layer (BL). The operation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fabe196cc56f18d39d442f6c76f274f9
Publikováno v:
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz).
Publikováno v:
Physical Review Applied. 16
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 132:184504
The Zener-Klein (ZK) interband tunneling in graphene layers (GLs) with the lateral n-i-n and p-i-n junctions results in the nonlinear I-V characteristics that can be used for the rectification and detection of the terahertz (THz) signals. The transit
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.