Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"M. Rouhanian"'
Autor:
R. Tews, D. Savignac, J. Schmid, Martin Popp, S. Lukas, M. Rouhanian, M. Drubba, Lars Heineck, Hans-Peter Moll, Ines Uhlig, Lars Dreeskornfeld, D. Temmler, Matthias Goldbach, Gouri Sankar Kar, Werner Graf, Erhard Landgraf, D. Weinmann, Wolfgang Roesner, W. Mueller
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
We present for the first time the full integration scheme and 512 Mb product data for a trench DRAM technology targeting the 48 nm node. The key technology enablers are a new cell architecture "wordline over bitline" (WOB) realizing a high degree of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::435c4726727098d78ef4bd5ad94effc2
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418855
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418855
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.