Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"M. Rouhani Laridjani"'
(AlN)x(SiC)1−x buried layers implanted in 6H–SiC: a theoretical study of their optimized composition
Publikováno v:
Applied Surface Science. 184:383-386
In this work, we present a methodology which enables to optimize the composition x of (AlN) x (SiC) 1-x buried layers implanted in 6H-SiC host material. Our approach is based on the elasticity theory of strained interfaces which successfully predicts
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b1dd64e91a72caf3ae5fd5096a21539
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00522-0
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00522-0
Publikováno v:
Computational Materials Science. 17:544-550
In this article, we present the basic formalism of the S-correlated theory of misfit induced interface superstructures (MIIS) and nucleation centers for misfit dislocation network (NCMDN). Two main properties play an important role in the theory. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28f305b3246da6b482c8685cf262ff74
https://doi.org/10.1016/s0927-0256(00)00085-9
https://doi.org/10.1016/s0927-0256(00)00085-9
Autor:
M. Averous, Juergen A. Schaefer, Jörg Pezoldt, György Vida, Thomas Stauden, M. Rouhani Laridjani, R. Pieterwas, Gernot Ecke, Lothar Spieß, T. Wöhner
Publikováno v:
Materials Science Forum. :289-292
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00e68d9f142b943fe0bedf4bd118050a
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.289
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.289
Autor:
J. Calas, René Berjoan, M. Averous, A Dollet, N. Moreaud, Pierre Masri, G Chaix, M. Rouhani Laridjani, C Dupuy
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :535-538
We demonstrate that the S-correlated theory of misfit induced superstructures and its continuity criteria, defined within the framework of the elasticity theory, enables to predict the composition of buffer layers which can optimize the 3C–SiC/Si i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b72b6338d2bbae51a2179e6ce719eaff
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00468-1
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00468-1
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 82:53-55
We present a methodology based on the elasticity theory of strained interfaces to optimize semiconductor heterointerfaces. For GaN heteroepitaxy, an alternative to sapphire substrate can be provided by SiC, which offers a better lattice matching and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6fb675843d1c43f0ad2af26dd2dadec
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(00)00776-5
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(00)00776-5
Publikováno v:
MRS Proceedings. 639
In this work we evaluate the strategy of using 3C-SiC as a substrate for III-V nitrides heteroepitaxy (AlN, GaN…). Our methodology is based on the elasticity theory of strained interfaces and involves not only geometric parameters of host materials
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fdee86646e834d8b41d62ccbc49edb6
https://doi.org/10.1557/proc-639-g3.49
https://doi.org/10.1557/proc-639-g3.49
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::165cf87df218b604227dbc5e3cc147c9
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0343878037&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0343878037&partnerID=MN8TOARS
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.