Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"M. Ronay"'
Autor:
Kathryn W. Guarini, Guy M. Cohen, H.J. Hovel, J. Benedict, C. Cabral, K. Petrarca, Diane C. Boyd, Raymond M. Sicina, J.H. Yoon, J. Newbury, P. Kozlowski, Paul M. Solomon, Hon-Sum Philip Wong, Christopher P. D'Emic, A. Krasnoperova, M. Ronay, K.K. Chan, V. Ku, O. Dokumaci, Christian Lavoie, Inna V. Babich, J.J. Bucchignano, E.C. Jones, J. Treichler, Y. Zhang
Publikováno v:
IEEE Circuits and Devices Magazine. 19:48-62
A planar self-aligned double-gate MOSFET process has been implemented where a unique sidewall source/drain structure (S/D) permits self-aligned patterning of the back-gate layer after the S/D structure is in place. This allows coupling the silicon th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::76dcf51997d0234eec7ae42db2413164
https://doi.org/10.1109/mcd.2003.1175108
https://doi.org/10.1109/mcd.2003.1175108
Autor:
M. Okazaki, M. Ronay, P. Kücher, T. Matsuda, S. Nguyen, Herbert Palm, J. Gambino, T. Licata, H. Aochi
Publikováno v:
Applied Surface Science. 91:359-366
An advanced three-level interconnect technology for 0.25 μm design rule has been developed for a 256M DRAM process, that provides increased circuit density, improved manufacturability and reduced cost. The process includes a polycide gate stack, sel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1793811d2aafdd02d72e75a45148ef40
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00147-6
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00147-6
Autor:
Stefan J. Weber, L. Yang, G.Z. Lu, R.F. Schnabel, D. Tobben, Chenting Lin, J. L. Hurd, Sunny Chiang, R. Filippi, J. Ning, Kenneth P. Rodbell, T. Gou, R. Longo, M. Ronay, Roderick C. Mosely, L. Gignac, Mark Hoinkis, R. Ploessl, S. Voss, Clevenger Leigh Anne H, Jeffrey P. Gambino, Lian-Yuh Chen, G. Costrini, D.M. Dobuzinsky, J.F. Nuetzel, R. C. Iggulden
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
As VLSI back end of line (BEOL) wiring is scaled to 0.175 /spl mu/m dimensions and sub-0.5 /spl mu/m pitches, the challenges to conventional Al RIE BEOL processes are the etching and the reliability of tall/narrow Al lines and the oxide gap fill and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5df924822bf795c7e3a2be9c96ec3aef
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704772
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704772
Autor:
C. Cabral, Diane C. Boyd, E.C. Jones, Kathryn W. Guarini, K.K. Chan, J. Treichler, J.J. Bucchignano, Victor Ku, J. Newbury, Y. Zhang, Hon-Sum Philip Wong, A. Krasnoperova, Christopher P. D'Emic, Raymond M. Sicina, M. Ronay, O. Dokumaci, Guy M. Cohen, P. Kozlowski, Christian Lavoie, Paul M. Solomon, Inna V. Babich, K.S. Petrarca
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224).
We introduce a planar, triple-self-aligned double-gate FET structure ("PAGODA"). Device fabrication incorporates wafer bonding, front-end CMP, mixed optical/e-beam lithography, silicided silicon source/drain sidewalls, and back gate undercut and pass
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4572bd937899028c07a85604ae8a1c8
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979527
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979527
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.