Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M. Raccioppo"'
Autor:
D. K. Sadana, Haizhou Yin, S. Crowder, Jeremy J. Kempisty, Katherine L. Saenger, Rong Zhang, Nivo Rovedo, H. Ng, H.K. Lee, Jinghong Li, Chun-Yung Sung, Victor Ku, Victor Chan, J. P. de Souza, M. Raccioppo, P.Y. Nguyen, R. Mo, Gerd Pfeiffer, C. Wann, Anita Madan, John A. Ott, R. Bendernagel, Zhibin Ren, Zhijiong Luo
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
High performance 65-nm technology (Lpoly=45nm, EOT=1.2nm) bulk CMOS has been demonstrated for the first time on mixed orientation substrates formed by using direct silicon bonded (DSB) wafers and a solid phase epitaxy (SPE) process. The pFET performa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a015431a29e48ff0acab278ac9377c5
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609313
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609313
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.