Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"M. Pouysegur"'
Publikováno v:
1997 Proceedings 47th Electronic Components and Technology Conference.
Over recent years, the miniaturisation of RF functions was based on the use of hybrid technology. That included thin or thick film capability, micro or macro RF packages and the design of MMICs. In the same time, many developments were running around
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5118ca38cdb659b97ceb8375cd5aa72c
https://doi.org/10.1109/ectc.1997.606215
https://doi.org/10.1109/ectc.1997.606215
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 34:2178-2184
This paper addresses the problem of 1/f3/2low-frequency noise in GaAs thin-film resistors and MESFET's. Experimental data seem to rule out the existence of the so-called "diffusion noise" usually invoked in GaAs devices. Therefore, we propose a new "
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83687663735069998b8fe1a4724d14b9
https://doi.org/10.1109/t-ed.1987.23214
https://doi.org/10.1109/t-ed.1987.23214
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 29:1087-1097
A theoretical model is developed for capacitance and transconductance frequency dispersion in MESFETs at low drain bias and is compared with experimental data obtained on commercial and special devices. It is shown that the results are consistent wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5cb5e79372b6e59f4a1b03fd61f0dc87
https://doi.org/10.1016/0038-1101(86)90110-3
https://doi.org/10.1016/0038-1101(86)90110-3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 33:572-575
We report here on low-frequency (LF) noise of GaAs/ GaAlAs TEGFET's. Present investigations show that this noise is not inherently lower in TEGFET's than in MESFET's. Moreover, the bias and frequency dependence of the noise was found to indicate that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dcdf7d4a392e90f1ef19c106a9fdb303
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22534
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22534
Publikováno v:
1987 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
Several identical X band cavity stabilized MESFET and HEMT oscillators are presented. Their phase noise and some other noise data are reported. Under exactly the same oscillating conditions, the MESFET oscillators exhibit the best phase noise perform
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c851102b1608deac1a8ee09ce20ac662
https://doi.org/10.1109/mwsym.1987.1132470
https://doi.org/10.1109/mwsym.1987.1132470
Autor:
M. Pouysegur, J. Graffeuil
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (8), pp.897-903. ⟨10.1051/rphysap:01987002208089700⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (8), pp.897-903. ⟨10.1051/rphysap:01987002208089700⟩
Cet article presente divers resultats experimentaux concernant le bruit en 1/f3/2 de differentes structures GaAs. L'analyse des resultats semble mettre en defaut l'hypothese d'un bruit de diffusion d'ions generalement evoquee pour expliquer l'origine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::69ce1c8c526983e75987e10b6a567478
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245630/file/ajp-rphysap_1987_22_8_897_0.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245630/file/ajp-rphysap_1987_22_8_897_0.pdf
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.