Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"M. Pilatzek"'
Autor:
U. Richter, A. Klein, G. Beister, S. S. Ruvimov, I. Rechenberg, M. Pilatzek, Markus Weyers, Frank Bugge, H. Treptow, S. Gramlich, J. Maege, G. Erbert
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Transmission electron microscopy investigations show that dislocations nucleated during the processing of InGaAs/GaAs laser diodes and developed under high internal stress during laser operation are the primary sources of rapid degradation processes.
Autor:
K. Schatke, Marius Grundmann, M. Pilatzek, P. Harde, T. Wolf, Dieter Bimberg, Alois Krost, Frank Heinrichsdorff, R.F. Schnabel
Publikováno v:
1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
Metal organic chemical vapor deposition of undoped and Fe-doped InP on vicinal Si[001] and Si(111) is reported. Semi-insulating InP on Si(111) with a resistivity of 3 /spl times/ 10/sup 7/ /spl Omega/cm has been made for the first time. The resistivi
Autor:
Alois Krost, Marius Grundmann, R.F. Schnabel, Frank Heinrichsdorff, P. Harde, Dieter Bimberg, M. Pilatzek
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 63:3607-3609
Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of undoped and Fe‐doped InP on vicinal Si(001) and Si(111) is reported. For concentrations up to 8×1016 cm−3 the incorporated Fe is found to be entirely electrically active. Semi‐insulating I
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.