Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"M. Pelczynski"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 195:378-384
Indium antimonide magnetoresistors are used as magnetic position sensors in very demanding automotive environments such as crankshaft and camshaft sensors for engine control. The use of tellurium as an n-type dopant was studied using Hall effect meas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50ab15bea5d94e0a2ac7c06059ab90ab
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00623-x
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00623-x
Autor:
A. B. Cornfeld, Shane Johnson, D. Doctor, J. D. Benson, M. Pelczynski, Ian T. Ferguson, C. H. Kuo, Blaine D. Johs, G. Olson, Craig M. Herzinger, P. Chow, John H. Dinan
Publikováno v:
Thin Solid Films. :490-495
To manufacture the next generation of epitaxially grown semiconductor device structures, real-time monitoring and control of the growth is considered a necessity to achieve acceptable yields. In situ spectroscopic ellipsometry (SE) has demonstrated s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1be728bfe69ccba7739b402982cee536
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00870-5
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00870-5
Autor:
Jeffrey S. Hale, Blaine D. Johs, Ian T. Ferguson, K. Elliott, D. Chow, Gregory L. Olson, C. H. Kuo, D. Doctor, Craig M. Herzinger, John A. Roth, M. Pelczynski, Shane Johnson
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
in situ Spectroscopic Ellipsometry (SE) is an optical technique which is well suited for the monitoring of epitaxial semiconductor growth, due to its high surface sensitivity and non-invasive nature. In this work, SE systems were installed on both MB
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::39ad6c6b3cabd04339a98e0e7caf0e60
https://doi.org/10.1557/proc-502-3
https://doi.org/10.1557/proc-502-3
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Multiple wafer growth of infrared III-V semiconductor materials of InSb and InGaAsP have been produced by metalorganic chemical vapor deposition technology employing a vertical reactor growth configuration with a high speed rotating disk. Three measu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc0a85a17dcb4b1ca180ca1755b9bab9
https://doi.org/10.1557/proc-484-13
https://doi.org/10.1557/proc-484-13
Autor:
R. A. Stall, Kian-Ming Tan, J. Y. Lin, Ian T. Ferguson, M. Pelczynski, Andrew T. S. Wee, Z. C. Fenge, K. Li
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
ResearcherID
ResearcherID
There is increasing interest in the epitaxial growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates for many device applications such as infrared optoelectronics. The large lattice mismatch (14.6%) between InSb and GaAs has meant that both growth
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5858d14417e70df3752535da27a3d27
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031385337&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031385337&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.