Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"M. Paillous"'
Autor:
M. Paillous, Hector Flores, Francois Hammer, K. Disseau, Mathieu Puech, I. Jégouzo, Myriam Rodrigues, D. Gratadour, Y. Yang, Yann Clénet, S. Taburet, O. Marchal
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
We present a new scientific instrument simulator dedicated to the E-ELT named WEBSIM-COMPASS, and developed in the frame of the COMPASS project. This simulator builds on the previous series of WEBSIM simulators developed during the ESO E-ELT Design R
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::220b6b0b9ebc232fa378988891e88c71
https://doi.org/10.1117/12.2232423
https://doi.org/10.1117/12.2232423
Publikováno v:
Le Journal de Physique IV. :Pr8-569
Ta 2 O 5 and (TiO 2 )-(Ta 2 O 5 ) films have been deposited on silicon at low temperature by Injection Metallorganic Chemical Vapor Deposition (IMOCVD) using Tantalum tetraetoxy dimethlaminoethoxide, Ta(OEt) 4 (DMAE) and Titanium bis-ethoxide bis-dim
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57c2cbe0967f9898025fd8430ada1755
https://doi.org/10.1051/jp4:1999871
https://doi.org/10.1051/jp4:1999871
Autor:
M. Paillous, Barry O'Sullivan, Carmen Jiménez, J.P. Sénateur, Gabriel M. Crean, Ian W. Boyd, P.V. Kelly, J.-Y. Zhang, J.T. Beechinor, M.B. Mooney, Paul K. Hurley
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 48:283-286
We report the physical and electrical characteristics of the first tantalu pentoxide dielectric films as deposited by the new technique of low pressure ultraviolet-assisted injection liquid source (UVILS) chemical vapour deposition (UVILS-CVD) using
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ad66e8c9d3fbbc7de79987efa56c186
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00389-5
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00389-5
Autor:
M. Paillous, Barry O'Sullivan, J.P. Sénateur, Paul K. Hurley, J.T. Beechinor, Ian W. Boyd, Gabriel M. Crean, P.V. Kelly, J.-Y. Zhang, Carmen Jiménez, M.B. Mooney
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We report the growth of thin tantalum pentoxide films on Si (100) by ultraviolet-assisted injection liquid source (UVILS) chemical vapor deposition (CVD) at low temperatures (200–350 °C). This new technique combines the intense radiation from an e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::38120122a71fc68b9b83f5cb682f45e8
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-18544407094&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-18544407094&partnerID=MN8TOARS
Autor:
J.P. Sénateur, M. Paillous, Ian W. Boyd, M.B. Mooney, P.V. Kelly, Paul K. Hurley, Carmen Jiménez, Barry O'Sullivan, J.-Y. Zhang, J.T. Beechinor, G. M Crean
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Ultraviolet assisted injection liquid source chemical vapour deposition (UVILS-CVD) emerged during 1999 as a new low-temperature dielectric deposition system combining earlier developments in injection liquid source CVD and excimer lamp assisted CVD.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c4fc95aff4c55f0e2576108ec76257c7
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-14344278709&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-14344278709&partnerID=MN8TOARS
Autor:
J.-Y. Zhang, Gabriel M. Crean, M. Paillous, Carmen Jiménez, M.B. Mooney, Ian W. Boyd, J.-P. Stnateur, P.V. Kelly, J.T. Beechinor
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
The characterisation of the physical and chemical properties of tantalum pentoxide (Ta2O5) films, deposited on silicon using a newly developed low temperature deposition technique - ultraviolet assisted injection liquid source chemical vapour deposit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d67feb6b0fcf858bdcbdaf4a53e23b34
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033319192&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033319192&partnerID=MN8TOARS
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.