Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"M. Ohnemus"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Ohnemus, S. Boguth, R. Schreiter, T.F. Meister, J. Bock, L. Treitinger, M. Rest, M. Wurzer, Herbert Knapp, K. Aufinger
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
A production-near implanted base silicon bipolar technology for mixed analogue and digital applications has been developed. The applicability for mobile communications up to at least 6 GHz and for high-speed data links in the range of 10-40 Gbit/s is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f03fc5c32d93d052e4c588143d22cd63
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.824214
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.824214
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest].
The authors present a 0.8 mu m BiCMOS technology for high-performance digital applications. The underlying optimization strategy to trade off both bipolar vs. CMOS speed and cutoff-frequency vs. collector-emitter breakdown voltage is described. Based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f434e2f7c0480faed9fb812132adf4b
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235417
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235417
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Miura-Mattausch, P. Weger, R. Kopl, H. Kabza, M. Reisch, H.W. Meul, J. Weng, R. Schreiter, H. Klose, D. Hartwig, K. Ehinger, M. Ohnemus, Thomas Meister, L. Treitinger, H. Schaber, I. Kerner
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 10:344-346
A double-poly-Si self-aligning bipolar process employing 1- mu m lithography is developed for very-high-speed circuit applications. Epilayer doping and thickness are optimized for breakdown voltages and good speed-power performance. Shallow base-emit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ec5817ffe5be5b2cd3b156888b00149
https://doi.org/10.1109/55.31751
https://doi.org/10.1109/55.31751
Autor:
Mitiko Miura-Mattausch, M. Ohnemus
The lateral arsenic doping profile of the emitter outdiffused from the polysilicon layer has been estimated. It has been done by a combination of measured E/B depletion junction capacitance C EB and that calculated by 2D simulation. Since the periphe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48700a4bc5ae93f1401a5d7e8ad9d12f
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_197
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_197
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.